规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD122N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD122N10N3 GCT
IPD122N10N3 GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD180N10N3GBTMA1
仓库库存编号:
IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
别名:IPD180N10N3 GCT
IPD180N10N3 GCT-ND
IPD180N10N3GBTMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6906HTSA1CT-ND
别名:BSS169 L6906CT
BSS169 L6906CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),58A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7110TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH7110TR2PBFCT-ND
别名:IRFH7110TR2PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4010
仓库库存编号:
AUIRFS4010-ND
别名:SP001522400
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRFS4010-7P
仓库库存编号:
AUIRFS4010-7P-ND
别名:AUIRFS40107P
SP001516602
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 97A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4410Z
仓库库存编号:
AUIRFS4410Z-ND
别名:SP001520704
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 48W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRLR120N
仓库库存编号:
AUIRLR120N-ND
别名:SP001521880
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRLR3110Z
仓库库存编号:
AUIRLR3110Z-ND
别名:SP001521338
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS4030
仓库库存编号:
AUIRLS4030-ND
别名:SP001519902
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7P
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7P-ND
别名:AUIRLS40307P
SP001522310
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3710ZGPBF
仓库库存编号:
IRF3710ZGPBF-ND
别名:SP001564604
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 22A(Tc) 95W(Tc) TO-220AB
型号:
BTS121AE3045ANTMA1
仓库库存编号:
BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
别名:BTS121A E3045ACT
BTS121A E3045ACT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK956R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9866-5-ND
别名:568-9866-5
934066524127
BUK956R1100E127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 349W(Tc) I2PAK
型号:
BUK9E6R1-100E,127
仓库库存编号:
568-9877-5-ND
别名:568-9877-5
934066517127
BUK9E6R1100E127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70.4A(Tc) 63.8W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN4R6-100XS,127
仓库库存编号:
568-10158-5-ND
别名:568-10158
568-10158-5
568-10158-ND
934067065127
PSMN4R6-100XS,127-ND
PSMN4R6100XS127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 62A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4510GPBF
仓库库存编号:
IRFB4510GPBF-ND
别名:SP001572362
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210S
仓库库存编号:
AUIRF5210S-ND
别名:SP001519218
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD25CN10NGBUMA1
仓库库存编号:
IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
别名:IPD25CN10N GCT
IPD25CN10N GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 49A(Tj) 55W(Tc) TO-220F
型号:
PSMN8R5-100XSQ
仓库库存编号:
568-10162-5-ND
别名:568-10162-5
934067377127
PSMN8R5100XSQ
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
不受无铅要求限制
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D2PAK(7-Lead)
型号:
BUK7C4R5-100EJ
仓库库存编号:
BUK7C4R5-100EJ-ND
别名:934067495118
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
型号:
BUK7C5R4-100EJ
仓库库存编号:
BUK7C5R4-100EJ-ND
别名:934067496118
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
型号:
BUK9C5R3-100EJ
仓库库存编号:
BUK9C5R3-100EJ-ND
别名:934067487118
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),93A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) DIRECTFET? MN
型号:
IRF7171MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7171MTRPBFCT-ND
别名:IRF7171MTRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Ta),105A(Tc) 3.8W(Ta),132W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7188TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7188TRPBFCT-ND
别名:IRFH7188TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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