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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI35CN10N G
  仓库库存编号：IPI35CN10N G-ND
  别名：SP000208936
  SP000680730
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI50CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPI50CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPI50CN10N G
  IPI50CN10N G-ND
  SP000208937
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI80CN10N G
  仓库库存编号：IPI80CN10N G-ND
  别名：SP000208938
  SP000680758
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP05CN10L G
  仓库库存编号：IPP05CN10L G-ND
  别名：SP000308801
  SP000680812
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP06CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP06CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP06CN10L G
  IPP06CN10L G-ND
  SP000308789
  SP000680820
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CN10L G
  仓库库存编号：IPP08CN10L G-ND
  别名：SP000308791
  SP000680842
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 54A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP16CN10LGXKSA1
  仓库库存编号：IPP16CN10LGXKSA1-ND
  别名：IPP16CN10L G
  IPP16CN10L G-ND
  SP000308793
  SP000680878
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP35CN10N G
  仓库库存编号：IPP35CN10N G-ND
  别名：SP000096473
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP47N10S33AKSA1
  仓库库存编号：IPP47N10S33AKSA1-ND
  别名：IPP47N10S-33
  IPP47N10S-33-ND
  IPP47N10S33
  SP000225706
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP47N10SL26AKSA1
  仓库库存编号：IPP47N10SL26AKSA1-ND
  别名：IPP47N10SL-26
  IPP47N10SL-26-ND
  IPP47N10SL26
  SP000225707
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS12CN10LGBKMA1
  仓库库存编号：IPS12CN10LGBKMA1-ND
  别名：IPS12CN10L G
  IPS12CN10L G-ND
  SP000311530
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU64CN10N G
  仓库库存编号：IPU64CN10N G-ND
  别名：SP000209097
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU78CN10N G
  仓库库存编号：IPU78CN10N G-ND
  别名：SP000209098
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP15P10PGHKSA1
  仓库库存编号：SPP15P10PGHKSA1-ND
  别名：SP000212313
  SPP15P10P G
  SPP15P10P G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP15P10PLGHKSA1
  仓库库存编号：SPP15P10PLGHKSA1-ND
  别名：SP000212234
  SPP15P10PL G
  SPP15P10PL G-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
  
  型号：IRF7665S2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7665S2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7665S2TR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
  
  型号：IRF7769L2TR1PBF
  仓库库存编号：IRF7769L2TR1PBFCT-ND
  别名：IRF7769L2TR1PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRLH5030TR2PBF
  仓库库存编号：IRLH5030TR2PBFCT-ND
  别名：IRLH5030TR2PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD18NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD18NQ10T,118-ND
  别名：934055700118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP45NQ10TA,127
  仓库库存编号：PHP45NQ10TA,127-ND
  别名：934059957127
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7628-100A/C,118
  仓库库存编号：BUK7628-100A/C,118-ND
  别名：934060683118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9240-100A/C1,11
  仓库库存编号：BUK9240-100A/C1,11-ND
  别名：934061623118
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI126N10N3 G
  仓库库存编号：IPI126N10N3 G-ND
  别名：IPI126N10N3G
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS118N10N G
  仓库库存编号：IPS118N10N G-ND
  别名：SP000475890
  SP000680974
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4310GPBF
  仓库库存编号：IRFB4310GPBF-ND
  别名：SP001564018
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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