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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296 E6433
  仓库库存编号：BSP296 E6433-ND
  别名：BSP296E6433T
  SP000011107
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372 E6327
  仓库库存编号：BSP372 E6327-ND
  别名：BSP372E6327T
  SP000011120
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373 E6327
  仓库库存编号：BSP373 E6327-ND
  别名：BSP373E6327T
  SP000011121
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E6433
  仓库库存编号：BSS119 E6433-ND
  别名：BSS119E6433XT
  SP000011164
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7796
  仓库库存编号：BSS119 E7796-ND
  别名：BSS119E7796T
  SP000011162
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119 E7978
  仓库库存编号：BSS119 E7978-ND
  别名：BSS119E7978XT
  SP000011163
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123 E6433
  仓库库存编号：BSS123 E6433-ND
  别名：BSS123E6433XT
  SP000011166
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123L7874XT
  仓库库存编号：BSS123L7874XTTR-ND
  别名：BSS123 E7874
  BSS123 E7874-ND
  BSS123E7874T
  SP000011167
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169 E6327
  仓库库存编号：BSS169 E6327-ND
  别名：BSS169E6327XT
  SP000011172
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169 E6906
  仓库库存编号：BSS169 E6906-ND
  别名：BSS169E6906XT
  SP000055416
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110NKSA1
  仓库库存编号：BTS110NKSA1-ND
  别名：BTS110
  BTS110-ND
  SP000011184
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS110E3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS110E3045ANTMA1TR-ND
  别名：BTS110 E3045A
  BTS110 E3045A-ND
  BTS110E3045AT
  SP000011183
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP06CN10N G
  仓库库存编号：IPP06CN10N G-ND
  别名：IPP06CN10NGX
  IPP06CN10NGXK
  SP000096463
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CN10N G
  仓库库存编号：IPP08CN10NGIN-ND
  别名：IPP08CN10N G-ND
  IPP08CN10NGIN
  IPP08CN10NGX
  IPP08CN10NGXK
  SP000096465
  SP000680844
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP12CN10N G
  仓库库存编号：IPP12CN10N G-ND
  别名：IPP12CN10NGX
  IPP12CN10NGXK
  SP000096468
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP26CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP26CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP26CN10N G
  IPP26CN10N G-ND
  IPP26CN10NGX
  IPP26CN10NGXK
  SP000096471
  SP000680922
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP50CN10NGXKSA1
  仓库库存编号：IPP50CN10NGXKSA1-ND
  别名：IPP50CN10N G
  IPP50CN10N G-ND
  IPP50CN10NGHKSA1
  IPP50CN10NGIN
  IPP50CN10NGIN-ND
  IPP50CN10NGX
  IPP50CN10NGXK
  SP000096474
  SP000680930
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP80CN10NGHKSA1
  仓库库存编号：IPP80CN10NGHKSA1-ND
  别名：IPP80CN10N G
  IPP80CN10N G-ND
  IPP80CN10NGX
  IPP80CN10NGXK
  SP000096475
  SP000680966
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10
  仓库库存编号：SPB10N10-ND
  别名：SP000013845
  SPB10N10T
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10 G
  仓库库存编号：SPB10N10 G-ND
  别名：SP000102168
  SPB10N10GXT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L
  仓库库存编号：SPB10N10L-ND
  别名：SP000013836
  SPB10N10LT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10 G
  仓库库存编号：SPB21N10 G-ND
  别名：SP000102171
  SPB21N10GXT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10 G
  仓库库存编号：SPB35N10 G-ND
  别名：SP000102172
  SPB35N10GXT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10
  仓库库存编号：SPB47N10-ND
  别名：SP000012327
  SPB47N10T
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB47N10L
  仓库库存编号：SPB47N10L-ND
  别名：SP000012078
  SPB47N10LT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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