规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
IRF540ZSTRR
仓库库存编号：
IRF540ZSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120ZTR
仓库库存编号：
IRFR120ZTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120ZTRL
仓库库存编号：
IRFR120ZTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540Z
仓库库存编号：
IRF540Z-ND
别名：*IRF540Z
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4410
仓库库存编号：
IRFB4410-ND
别名：*IRFB4410
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4610
仓库库存编号：
IRFB4610-ND
别名：*IRFB4610
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4410
仓库库存编号：
IRFS4410-ND
别名：*IRFS4410
SP001571744
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4610
仓库库存编号：
IRFS4610-ND
别名：*IRFS4610
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 96A（Tc） 250W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4410
仓库库存编号：
IRFSL4410-ND
别名：*IRFSL4410
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4610
仓库库存编号：
IRFSL4610-ND
别名：*IRFSL4610
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4610PBF
仓库库存编号：
IRFSL4610PBF-ND
别名：*IRFSL4610PBF
SP001578448
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF530N,127
仓库库存编号：
568-1159-5-ND
别名：568-1159-5
934055534127
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 23A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF540,127
仓库库存编号：
568-1160-5-ND
别名：568-1160-5
934055542127
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 18A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4212PBF
仓库库存编号：
IRFB4212PBF-ND
别名：SP001555992
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 56W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3911PBF
仓库库存编号：
IRFU3911PBF-ND
别名：*IRFU3911PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3412PBF
仓库库存编号：
IRFU3412PBF-ND
别名：*IRFU3412PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3412PBF
仓库库存编号：
IRFR3412PBF-ND
别名：*IRFR3412PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4710PBF
仓库库存编号：
IRFSL4710PBF-ND
别名：*IRFSL4710PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF520NLPBF
仓库库存编号：
IRF520NLPBF-ND
别名：*IRF520NLPBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRL540NLPBF
仓库库存编号：
IRL540NLPBF-ND
别名：*IRL540NLPBF
SP001558070
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4710PBF
仓库库存编号：
IRFS4710PBF-ND
别名：*IRFS4710PBF
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120NPBF
仓库库存编号：
IRFU9120NPBF-ND
别名：*IRFU9120NPBF
SP001568138
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU120ZPBF
仓库库存编号：
IRFU120ZPBF-ND
别名：*IRFU120ZPBF
SP001578408
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10T
仓库库存编号：
SPB21N10T-ND
别名：SP000013626
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10T
仓库库存编号：
SPB35N10T-ND
别名：SP000013627
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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