规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRF9530NL
仓库库存编号：
IRF9530NL-ND
别名：*IRF9530NL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 100V 23A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） TO-262
型号：
IRF9540NL
仓库库存编号：
IRF9540NL-ND
别名：*IRF9540NL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
型号：
IRF1310NSTRR
仓库库存编号：
IRF1310NSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） TO-262
型号：
IRF520NL
仓库库存编号：
IRF520NL-ND
别名：*IRF520NL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRL
仓库库存编号：
IRF520NSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.7A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF520NSTRR
仓库库存编号：
IRF520NSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7452TR
仓库库存编号：
IRF7452TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRL
仓库库存编号：
IRF9520NSTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.8A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520NSTRR
仓库库存编号：
IRF9520NSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 14A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9530NSTRR
仓库库存编号：
IRF9530NSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 23A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9540NSTRR
仓库库存编号：
IRF9540NSTRR-ND
别名：SP001555904
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Ta） TO-220AB 整包
型号：
IRFI9530N
仓库库存编号：
IRFI9530N-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3910TRR
仓库库存编号：
IRFR3910TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120NTRL
仓库库存编号：
IRFR9120NTRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120NTRR
仓库库存编号：
IRFR9120NTRR-ND
别名：SP001576116
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 55A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2910STRL
仓库库存编号：
IRL2910STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRR
仓库库存编号：
IRL520NSTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 63W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLI2910
仓库库存编号：
IRLI2910-ND
别名：*IRLI2910
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120NTRR
仓库库存编号：
IRLR120NTRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3410TRL
仓库库存编号：
IRLR3410TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3410TRR
仓库库存编号：
IRLR3410TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5410
仓库库存编号：
IRFU5410-ND
别名：*IRFU5410
SP001576322
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TR
仓库库存编号：
IRFR5410TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRL
仓库库存编号：
IRFR5410TRL-ND
别名：SP001567628
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRR
仓库库存编号：
IRFR5410TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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