规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/Micross Components(245)
Fairchild/ON Semiconductor(68)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Kionix Inc.(8)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(33)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(72)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(171)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(11)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay BC Components(33)
Vishay Beyschlag(172)
Vishay Electro-Films(57)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(8)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(10)
Vishay Siliconix(35)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Sprague(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述:通孔 N 沟道 100V 6A(Tc) 800mW(Tc) TO-39
型号:
2N6788
仓库库存编号:
2N6788-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 800mW(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6788U
仓库库存编号:
2N6788U-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6796
仓库库存编号:
2N6796-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6796U
仓库库存编号:
2N6796U-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) TO-39
型号:
2N6849
仓库库存编号:
2N6849-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.5A(Tc) 800mW(Ta),25W(Tc) 18-ULCC(9.14x7.49)
型号:
2N6849U
仓库库存编号:
2N6849U-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 25A(Ta) 模具
型号:
EPC2801
仓库库存编号:
917-1035-1-ND
别名:917-1035-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
详细描述:通孔 N 沟道 100V 38A(Tc) 4W(Ta),150W(Tc) TO-3
型号:
2N6764T1
仓库库存编号:
2N6764T1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.8A(Ta) 800mW(Ta),8.3W(Tc) SOT-223
型号:
PMT200EN,135
仓库库存编号:
568-10826-1-ND
别名:568-10826-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SC-73
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 900mA(Ta) 800mW(Ta),6.2W(Tc) SOT-223
型号:
PMT760EN,135
仓库库存编号:
568-10829-1-ND
别名:568-10829-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123
仓库库存编号:
IRFD9123-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述:通孔 P 沟道 100V 790mA(Ta) 6.25W(Ta) TO-39
型号:
VP1008B
仓库库存编号:
VP1008B-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.5A(Tc) 1.25W(Ta),16.7W(Tc) TO-252AA
型号:
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号:
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名:SUD06N10-225L-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4292
仓库库存编号:
785-1657-1-ND
别名:785-1657-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Ta) 2W(Ta),25W(Tc) TO-220F-3SG
型号:
2SK3707-1E
仓库库存编号:
2SK3707-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 26A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2
型号:
2SK3820-DL-1E
仓库库存编号:
2SK3820-DL-1E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 42A(Tc) 136W(Tc) D2PAK-3
型号:
NVB6413ANT4G
仓库库存编号:
NVB6413ANT4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 180A(Tc) 480W(Tc) SOT-227
型号:
VS-FB180SA10P
仓库库存编号:
VS-FB180SA10P-ND
别名:VSFB180SA10P
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 140A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17.5A(Ta), 140A(Tc) 1.9W(Ta),500W(Tc) TO-262
型号:
AOW290
仓库库存编号:
785-1729-5-ND
别名:785-1729-5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta) 1W(Ta),19W(Tc) DPAK/TP-FA
型号:
SFT1443-TL-H
仓库库存编号:
SFT1443-TL-HOSCT-ND
别名:SFT1443-TL-HOSCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Ta) 模具
型号:
EPC2032ENGR
仓库库存编号:
917-EPC2032ENGR-ND
别名:917-EPC2032ENGR
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.5A(Ta),70A(Tc) 2.7W(Ta),125W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2904
仓库库存编号:
785-1736-1-ND
别名:785-1736-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LS-E
仓库库存编号:
H7N1002LS-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Ta) 100W(Tc) 4-LDPAK
型号:
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号:
H7N1002LSTL-E-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Ta) 模具
型号:
EPC2022ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2022ENGRCT-ND
别名:917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号