规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） TP
型号：
SFT1443-H
仓库库存编号：
SFT1443-H-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
型号：
BUK98180-100A,115
仓库库存编号：
568-9714-1-ND
别名：568-9714-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 3.1W（Ta） SOT-223
型号：
AOH3110
仓库库存编号：
785-1486-1-ND
别名：785-1486-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 3.1W（Ta），17W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7452
仓库库存编号：
785-1585-1-ND
别名：785-1585-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK755R4-100E,127
仓库库存编号：
1727-7238-ND
别名：1727-7238
568-9845-5
568-9845-5-ND
934066483127
BUK755R4100E127
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Tc） 3.75W（Ta），107W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP40N10-30-E3
仓库库存编号：
SUP40N10-30-E3-ND
别名：SUP40N10-30-E3CT
SUP40N10-30-E3CT-ND
SUP40N1030E3
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.3A（Ta），7.5A（Tc） 2.3W（Ta），19W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC86106LZ
仓库库存编号：
FDMC86106LZCT-ND
别名：FDMC86106LZCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），11A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD498
仓库库存编号：
AOD498-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
NP40N10PDF-E1-AY
仓库库存编号：
NP40N10PDF-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
型号：
NP40N10YDF-E1-AY
仓库库存编号：
NP40N10YDF-E1-AY-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
型号：
SI2392DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2392DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2392DS-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6756
仓库库存编号：
JAN2N6756-ND
别名：JAN2N6756-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
型号：
JAN2N6764
仓库库存编号：
JAN2N6764-ND
别名：JAN2N6764-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N6764T1
仓库库存编号：
JAN2N6764T1-ND
别名：JAN2N6764T1-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6782
仓库库存编号：
JAN2N6782-ND
别名：JAN2N6782-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6782U
仓库库存编号：
JAN2N6782U-ND
别名：JAN2N6782U-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6788
仓库库存编号：
JAN2N6788-ND
别名：JAN2N6788-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6788U
仓库库存编号：
JAN2N6788U-ND
别名：JAN2N6788U-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6796
仓库库存编号：
JAN2N6796-ND
别名：JAN2N6796-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6796U
仓库库存编号：
JAN2N6796U-ND
别名：JAN2N6796U-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JAN2N6804
仓库库存编号：
JAN2N6804-ND
别名：JAN2N6804-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
JAN2N6849
仓库库存编号：
JAN2N6849-ND
别名：JAN2N6849-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JAN2N6849U
仓库库存编号：
JAN2N6849U-ND
别名：JAN2N6849U-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JAN2N6901
仓库库存编号：
JAN2N6901-ND
别名：JAN2N6901-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JAN2N7224
仓库库存编号：
JAN2N7224-ND
别名：JAN2N7224-MIL
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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