规格：漏源电压（Vdss） 100V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/Micross Components(245)
Fairchild/ON Semiconductor(68)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Kionix Inc.(8)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(33)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(72)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(171)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(11)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay BC Components(33)
Vishay Beyschlag(172)
Vishay Electro-Films(57)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(8)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(10)
Vishay Siliconix(35)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Sprague(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD06N10-225L-E3
仓库库存编号：
SUD06N10-225L-E3CT-ND
别名：SUD06N10-225L-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.2A（Ta），50A（Tc） 3W（Ta），136.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N10-18P-GE3
仓库库存编号：
SUD50N10-18P-GE3CT-ND
别名：SUD50N10-18P-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH QFN3333
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
型号：
PSMN035-100LS,115
仓库库存编号：
568-5585-1-ND
别名：568-5585-1
PSMN035100LS115
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 64A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7619-100B,118
仓库库存编号：
568-5853-1-ND
别名：568-5853-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
型号：
IRFD9123PBF
仓库库存编号：
IRFD9123PBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.8A（Tc） 2.4W（Ta），4.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4102DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4102DY-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4104DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4104DY-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
型号：
SI4486EY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4486EY-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7457DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7457DP-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7457DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7457DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE854DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE854DF-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 28.4A（Tc） 5W（Ta），54W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR432DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR432DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.2A（Ta），50A（Tc） 3W（Ta），136.4W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N10-18P-E3
仓库库存编号：
SUD50N10-18P-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.9A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），56W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N10-34P-T4-E3
仓库库存编号：
SUD50N10-34P-T4-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P10-43-E3
仓库库存编号：
SUD50P10-43-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 90A（Tc） 13.6W（Ta），375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM90P10-19-E3
仓库库存编号：
SUM90P10-19-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38.5A（Tc） 3.1W（Ta），89W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP40N10-30-GE3
仓库库存编号：
SUP40N10-30-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 36A（Tc） 2W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号：
SUP40P10-43-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP60N10-16L-E3
仓库库存编号：
SUP60N10-16L-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 3.75W（Ta），150W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP60N10-18P-E3
仓库库存编号：
SUP60N10-18P-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号：
SUP85N10-10-E3TR-ND
别名：SUP85N10-10-E3TR
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 85A（Tc） 3.75W（Ta），227W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP85N10-10P-GE3
仓库库存编号：
SUP85N10-10P-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
型号：
SUV85N10-10-E3
仓库库存编号：
SUV85N10-10-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 520mA（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
型号：
BSP110,115
仓库库存编号：
568-6812-1-ND
别名：568-6812-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
型号：
BUK9875-100A,115
仓库库存编号：
568-8033-1-ND
别名：568-8033-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
