规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8622
仓库库存编号：
FDMS8622CT-ND
别名：FDMS8622CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 8.5A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号：
BUK9K134-100EX
仓库库存编号：
1727-1898-1-ND
别名：1727-1898-1
568-11631-1
568-11631-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9110TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9110PBFCT-ND
别名：*IRFR9110TRPBF
IRFR9110PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD86102LZ
仓库库存编号：
FDD86102LZFSCT-ND
别名：FDD86102LZFSCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3410TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3410PBFCT-ND
别名：*IRLR3410TRPBF
IRLR3410PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
型号：
HUF76609D3ST
仓库库存编号：
HUF76609D3STFSCT-ND
别名：HUF76609D3STFSCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4294
仓库库存编号：
785-1732-1-ND
别名：785-1732-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR9120TRPBF
仓库库存编号：
IRFR9120PBFCT-ND
别名：*IRFR9120TRPBF
IRFR9120PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
型号：
ZVNL110GTA
仓库库存编号：
ZVNL110GCT-ND
别名：ZVNL110G
ZVNL110GCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3692
仓库库存编号：
FDS3692CT-ND
别名：FDS3692CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC196N10NSGATMA1
仓库库存编号：
BSC196N10NSGATMA1CT-ND
别名：BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5410TRPBF
仓库库存编号：
IRFR5410PBFCT-ND
别名：*IRFR5410TRPBF
IRFR5410PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 310mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZVP2110GTA
仓库库存编号：
ZVP2110GCT-ND
别名：ZVP2110G
ZVP2110GCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR120TRPBF
仓库库存编号：
IRFR120TRPBFCT-ND
别名：IRFR120TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
型号：
FDC8601
仓库库存编号：
FDC8601CT-ND
别名：FDC8601CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86106LZ
仓库库存编号：
FDT86106LZCT-ND
别名：FDT86106LZCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A
详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD122N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD122N10N3GATMA1CT-ND
别名：IPD122N10N3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRPBF
仓库库存编号：
IRLR120TRPBFCT-ND
别名：*IRLR120TRPBF
IRLR120PBFCT
IRLR120PBFCT-ND
IRLR120TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
型号：
DMHC10H170SFJ-13
仓库库存编号：
DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
别名：DMHC10H170SFJ-13DICT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 54W（Tc） D2PAK
型号：
BUK96180-100A,118
仓库库存编号：
1727-7191-1-ND
别名：1727-7191-1
568-9680-1
568-9680-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC109N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC109N10NS3 GCT
BSC109N10NS3 GCT-ND
BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 模具
型号：
EPC2038
仓库库存编号：
917-1138-1-ND
别名：917-1138-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta）
型号：
EPC2037
仓库库存编号：
917-1137-1-ND
别名：917-1137-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 模具
型号：
EPC2037ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2037ENGRCT-ND
别名：917-EPC2037ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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