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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 1.5W（Ta），2.8W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1480DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1480DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1480DH-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 3.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta），7A（Tc） 5W（Ta），17W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2922
  仓库库存编号：785-1661-1-ND
  别名：785-1661-1
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2392ADS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392ADS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392ADS-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：PMV213SN,215
  仓库库存编号：1727-6294-1-ND
  别名：1727-6294-1
  568-8112-1
  568-8112-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y153-100E,115
  仓库库存编号：1727-1493-1-ND
  别名：1727-1493-1
  568-10973-1
  568-10973-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 12A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMN10H170SK3-13
  仓库库存编号：DMN10H170SK3-13DICT-ND
  别名：DMN10H170SK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
  
  型号：ZXMN10A07ZTA
  仓库库存编号：ZXMN10A07ZCT-ND
  别名：ZXMN10A07ZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 9A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
  
  型号：DMP10H400SK3-13
  仓库库存编号：DMP10H400SK3-13DICT-ND
  别名：DMP10H400SK3-13DICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223
  
  型号：IRFL110TRPBF
  仓库库存编号：IRFL110PBFCT-ND
  别名：*IRFL110TRPBF
  IRFL110PBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4310TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4310TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4310TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10LTM
  仓库库存编号：FQD13N10LTMCT-ND
  别名：FQD13N10LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N10LTM
  仓库库存编号：FQD7N10LTMCT-ND
  别名：FQD7N10LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.3A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA416DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA416DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA416DJ-T1-GE3CT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR120NTRPBF
  IRFR120NPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.075A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 75mA（Ta） 330mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZVP3310FTA
  仓库库存编号：ZVP3310FCT-ND
  别名：ZVP3310F
  ZVP3310FCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ440N10NS3 G
  仓库库存编号：BSZ440N10NS3 GINCT-ND
  别名：BSZ440N10NS3 GINCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TRPBF
  仓库库存编号：IRLR110TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR110TRPBF
  IRLR110PBFCT
  IRLR110PBFCT-ND
  IRLR110TRPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120NTRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120NPBFCT-ND
  别名：*IRFR9120NTRPBF
  IRFR9120NPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVNL110ASTZ
  仓库库存编号：ZVNL110ASCT-ND
  别名：ZVNL110ASCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD1600N10ALZ
  仓库库存编号：FDD1600N10ALZCT-ND
  别名：FDD1600N10ALZCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXMP10A17E6QTA
  仓库库存编号：ZXMP10A17E6QTADICT-ND
  别名：ZXMP10A17E6QTADICT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120NTRPBF
  仓库库存编号：IRLR120NPBFCT-ND
  别名：*IRLR120NTRPBF
  IRLR120NPBFCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9275-100A,118
  仓库库存编号：1727-7186-1-ND
  别名：1727-7186-1
  568-9672-1
  568-9672-1-ND
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD19N10LTM
  仓库库存编号：FQD19N10LTMCT-ND
  别名：FQD19N10LTMCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
  
  型号：TPN3300ANH,LQ
  仓库库存编号：TPN3300ANHLQCT-ND
  别名：TPN3300ANHLQCT
  
  规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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