规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名:IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号:
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名:IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF540ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF540ZSTRL-ND
别名:SP001516510
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名:SP001102592
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRLU3110Z
仓库库存编号:
AUIRLU3110Z-ND
别名:SP001520848
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI072N10N3 G
IPI072N10N3 G-ND
IPI072N10N3G
SP000469900
SP000680674
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRLP-ND
别名:SP001557452
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102622
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号:
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名:IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号:
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名:SP001519476
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名:IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N10S3-05
仓库库存编号:
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名:IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名:SP001102598
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 103A(Tc) 333W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名:IRF3610STRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名:SP000915592
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4410
仓库库存编号:
AUIRFB4410-ND
别名:SP001516730
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名:SP001102616
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 100V 97A(Tc) 230W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4410ZPBF
仓库库存编号:
IRFP4410ZPBF-ND
别名:SP001566138
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号:
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名:IPI100N10S3-05
IPI100N10S3-05-ND
SP000407128
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRFB4610
仓库库存编号:
AUIRFB4610-ND
别名:SP001515858
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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