规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/Micross Components(245)
Fairchild/ON Semiconductor(68)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Kionix Inc.(8)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(33)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(72)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(171)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(11)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay BC Components(33)
Vishay Beyschlag(172)
Vishay Electro-Films(57)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(8)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(10)
Vishay Siliconix(35)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Sprague(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9A(Ta),40A(Tc) 2.2W(Ta),43W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF134N10NJ3 G
仓库库存编号:
BSF134N10NJ3 GCT-ND
别名:BSF134N10NJ3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR540ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFR540ZTRLTR-ND
别名:AUIRFR540ZTRLTR
SP001520296
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名:SP001101896
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名:IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 90A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名:SP000866562
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43A(Tc) 71W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名:SP000096469
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号:
IPI50N10S3L16AKSA1-ND
别名:IPI50N10S3L-16
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10SL-26
仓库库存编号:
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PHXKSA1
仓库库存编号:
SPP15P10PHXKSA1-ND
别名:SP000683160
SPP15P10P H
SPP15P10P H-ND
SPP15P10PH
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 33W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA126N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPA126N10N3GXKSA1-ND
别名:IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
IPA126N10N3 G
IPA126N10N3 G-ND
IPA126N10N3G
IPA26N10N3GXKSA1-ND
SP000485964
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
SP000427250
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD050N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPD050N10N5ATMA1-ND
别名:SP001602184
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 56A(Tc) 143W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4510PBF
仓库库存编号:
IRFU4510PBF-ND
别名:SP001557766
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 44A(Tc) 36W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA083N10N5XKSA1
仓库库存编号:
IPA083N10N5XKSA1-ND
别名:SP001226038
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4510PBF
仓库库存编号:
IRFSL4510PBF-ND
别名:SP001552374
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 61A(Tc) 140W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4510TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Ta) 2.5W(Ta),62.5W(Tc) DIRECTFET? M4
型号:
AUIRL7766M2TR
仓库库存编号:
AUIRL7766M2TR-ND
别名:SP001516036
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 58A(Tc) 4.3W(Ta),125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
AUIRFN7110TR
仓库库存编号:
AUIRFN7110TR-ND
别名:SP001517416
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 260W(Tc) D2PAK
型号:
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号:
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名:IRF8010STRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU540Z
仓库库存编号:
AUIRFU540Z-ND
别名:SP001519728
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB065N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPB065N10N3GATMA1-ND
别名:SP001232588
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号