规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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IXYS
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 75A 300W Through Hole ECO-PAC2
型号：
VKM60-01P1
仓库库存编号：
VKM60-01P1-ND
别名：VKM 60-01 P1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号：
APTM10HM09FT3G
仓库库存编号：
APTM10HM09FT3G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TAM19FPG
仓库库存编号：
APTM10TAM19FPG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
型号：
APTM10AM05FTG
仓库库存编号：
APTM10AM05FTG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10DHM05G
仓库库存编号：
APTM10DHM05G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10DAM02G
仓库库存编号：
APTM10DAM02G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 495A（Tc） 1250W（Tc） SP6
型号：
APTM10SKM02G
仓库库存编号：
APTM10SKM02G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TDUM09PG
仓库库存编号：
APTM10TDUM09PG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号：
APTM10TAM09FPG
仓库库存编号：
APTM10TAM09FPG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 570A（Tc） 1660W（Tc） SP6
型号：
APTM10UM02FAG
仓库库存编号：
APTM10UM02FAG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10DUM02G
仓库库存编号：
APTM10DUM02G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 590A（Tc） 2200W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO550-01F
仓库库存编号：
VMO550-01F-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10HM05FG
仓库库存编号：
APTM10HM05FG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 680A Chassis Mount Y3-Li
型号：
VMM650-01F
仓库库存编号：
VMM650-01F-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 690A（Tc） 2500W（Tc） Y3-DCB
型号：
VMO650-01F
仓库库存编号：
VMO650-01F-ND
别名：Q1434129
VM0650-01F
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS119NH6433XTMA1-ND
别名：SP000996564
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名：SP001006962
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL372SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL372SNH6327XTSA1-ND
别名：SP000942920
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169H6906XTSA1
仓库库存编号：
BSS169H6906XTSA1-ND
别名：SP000702582
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.4A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL296SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL296SNH6327XTSA1-ND
别名：SP000942912
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP-6-1
型号：
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名：SP000942916
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名：SP001098610
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.2A（Ta），20A（Tc） 2.8W（Ta），29W（Tc） 8-PQFN（3x3）
型号：
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM3911TRPBF-ND
别名：SP001575850
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 4A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3
型号：
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号：
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名：SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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