规格：漏源电压（Vdss） 100V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(2409)
分立半导体产品
(2409)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/Micross Components(245)
Fairchild/ON Semiconductor(68)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Kionix Inc.(8)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(33)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(72)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(171)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(11)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay BC Components(33)
Vishay Beyschlag(172)
Vishay Electro-Films(57)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(8)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(10)
Vishay Siliconix(35)
Vishay Spectrol(3)
Vishay Sprague(3)
Vishay Vitramon(2)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NLWFT1G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP26P10T
仓库库存编号：
IXTP26P10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-252
型号：
IXTY26P10T
仓库库存编号：
IXTY26P10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 26A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA26P10T
仓库库存编号：
IXTA26P10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ456EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ456EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N10T7
仓库库存编号：
IXTA130N10T7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T
仓库库存编号：
IXFA130N10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
型号：
FDBL86062_F085
仓库库存编号：
FDBL86062_F085-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 1.5W（Ta），84W（Tc） TO-220AB
型号：
2SK3480-AZ
仓库库存编号：
2SK3480-AZ-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY18P10T
仓库库存编号：
IXTY18P10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI540G
仓库库存编号：
IRLI540G-ND
别名：*IRLI540G
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP130N10T
仓库库存编号：
IXFP130N10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
RJK1003DPN-E0#T2
仓库库存编号：
RJK1003DPN-E0#T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），104A（Tc） 3.3W（Ta），138W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B05NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B05NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B05NT1GOSCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19536KTT
仓库库存编号：
CSD19536KTT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 76A（Tc） 188W（Tc） D2PAK
型号：
NVB6410ANT4G
仓库库存编号：
NVB6410ANT4G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP130N10T2
仓库库存编号：
IXFP130N10T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 50A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 50A（Ta） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
RJK1003DPP-E0#T2
仓库库存编号：
RJK1003DPP-E0#T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N10-25_GE3
仓库库存编号：
SQD40N10-25_GE3-ND
别名：SQD40N10-25-GE3
SQD40N10-25-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA130N10T2
仓库库存编号：
IXFA130N10T2-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA75N10P
仓库库存编号：
IXTA75N10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA160N10T
仓库库存编号：
IXTA160N10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V N-CHANNEL POWER TRENCH
详细描述：表面贴装 N 沟道 300A（Tc） 429W（Tc） 8-HPSOF
型号：
FDBL0200N100
仓库库存编号：
FDBL0200N100-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Ta） 2.1W（Ta），200W（Tc） TO-220-3
型号：
NDPL180N10BG
仓库库存编号：
NDPL180N10BGOS-ND
别名：NDPL180N10BGOS
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
