规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 53A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Ta) 111W(Ta) TO-220AB
型号:
PSMN018-100PSFQ
仓库库存编号:
PSMN018-100PSFQ-ND
别名:934068748127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 53A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Ta) 111W(Ta) I2PAK
型号:
PSMN018-100ESFQ
仓库库存编号:
PSMN018-100ESFQ-ND
别名:934068749127
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLWFT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 68A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y15-100EX
仓库库存编号:
1727-1484-1-ND
别名:1727-1484-1
568-10964-1
568-10964-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 69A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y15-100E,115
仓库库存编号:
1727-1492-1-ND
别名:1727-1492-1
568-10972-1
568-10972-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta) 1.2W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H014LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H014LSS-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 14.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.5A(Ta),46A(Tc) 7.4W(Ta),78W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6298
仓库库存编号:
AON6298-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 47A(Tc) 116W(Tc) TO-220-3
型号:
EKI10198
仓库库存编号:
EKI10198-ND
别名:EKI10198 DK
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 60W(Tc) TO-262-3
型号:
IRL520LPBF
仓库库存编号:
IRL520LPBF-ND
别名:*IRL520LPBF
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),33A(Ta) 3.6W(Ta),62W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B25NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B25NLT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),19A(Tc) 3.5W(Ta),42W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B85NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B85NLWFT1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 150W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
HUF76629D3ST_F085
仓库库存编号:
HUF76629D3ST_F085CT-ND
别名:HUF76629D3ST_F085CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 6A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta),27A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF4126
仓库库存编号:
AOTF4126-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
NVD6414ANT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6414ANT4G-VF01-ND
别名:NVD6414ANT4G
NVD6414ANT4G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta),28A(Tc) 3.5W(Ta),56W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B75NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B75NLWFT1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 52A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),52A(Tc) 2.5W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2908
仓库库存编号:
785-1478-1-ND
别名:785-1478-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10.5A(Tc) 66W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9530
仓库库存编号:
SFP9530-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 45W(Tc) LFPAK
型号:
RJK1051DPB-00#J5
仓库库存编号:
RJK1051DPB-00#J5CT-ND
别名:RJK1051DPB-00#J5CT
RJK1051DPB00J5
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
PHKD3NQ10T,518
仓库库存编号:
PHKD3NQ10T,518-ND
别名:934055906518
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 47A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 116W(Tc) TO-263
型号:
SKI10195
仓库库存编号:
SKI10195CT-ND
别名:SKI10195CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),33A(Ta) 3.6W(Ta),62W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B25NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B25NLT1G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),33A(Ta) 3.6W(Ta),62W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B25NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B25NLWFT3G-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 85A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y12-100EX
仓库库存编号:
1727-1483-1-ND
别名:1727-1483-1
568-10963-1
568-10963-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),29.5A(Tc) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
DMT10H010LSS-13
仓库库存编号:
DMT10H010LSS-13-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG20N10S4L22ATMA1
仓库库存编号:
IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND
别名:IPG20N10S4L22ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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