规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 65A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
STP70N10F4
仓库库存编号：
497-8812-5-ND
别名：497-8812-5
STP70N10F4-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 52A（Tc） 110W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH52N10LF3-2AG
仓库库存编号：
STH52N10LF3-2AG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A (Tc) 187W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号：
SQJQ910EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ910EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ910EL-T1_GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD80N10F7
仓库库存编号：
497-14812-1-ND
别名：497-14812-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 95A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 95A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR668DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR668DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIR668DP-T1-RE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） DPAK
型号：
STD100N10LF7AG
仓库库存编号：
STD100N10LF7AG-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
型号：
STB100N10F7
仓库库存编号：
497-14527-1-ND
别名：497-14527-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 250W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI150N10F7
仓库库存编号：
497-15015-5-ND
别名：497-15015-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） H2PAK
型号：
STH110N10F7-6
仓库库存编号：
497-13837-1-ND
别名：497-13837-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 5W（Ta），100W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL90N10F7
仓库库存编号：
497-13969-1-ND
别名：497-13969-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP185N10F3
仓库库存编号：
STP185N10F3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 100V 108A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 108A（Tc） 2.4W（Ta）, 166W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH10H010LCT
仓库库存编号：
DMTH10H010LCTDI-5-ND
别名：DMTH10H010LCTDI-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 151A (Tc) 138W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86180
仓库库存编号：
FDMS86180CT-ND
别名：FDMS86180CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70090E-GE3
仓库库存编号：
SUM70090E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 81A（Tc） 210W（Tc） TO-220
型号：
TSM85N10CZ C0G
仓库库存编号：
TSM85N10CZ C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：通孔 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70101EL-GE3
仓库库存编号：
SUP70101EL-GE3CT-ND
别名：SUP70101EL-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70040E-GE3
仓库库存编号：
SUM70040E-GE3CT-ND
别名：SUM70040E-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 250W（Tc） H2PAK
型号：
STH130N10F3-2
仓库库存编号：
497-13091-1-ND
别名：497-13091-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-247
型号：
STW240N10F7
仓库库存编号：
STW240N10F7-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 250W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19532KTTT
仓库库存编号：
296-43211-1-ND
别名：296-43211-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） H2Pak-2
型号：
STH240N10F7-2
仓库库存编号：
497-15143-1-ND
别名：497-15143-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
TSM160N10CZ C0G
仓库库存编号：
TSM160N10CZ C0G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
详细描述：表面贴装 P 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SUM70101EL-GE3
仓库库存编号：
SUM70101EL-GE3CT-ND
别名：SUM70101EL-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 120A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 315W（Tc） TO-220
型号：
STP180N10F3
仓库库存编号：
497-11228-5-ND
别名：497-11228-5
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
型号：
SUP70040E-GE3
仓库库存编号：
SUP70040E-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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