规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 106W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9660-100A,118
仓库库存编号:
1727-7198-1-ND
别名:1727-7198-1
568-9687-1
568-9687-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号:
IPD35N10S3L26ATMA1CT-ND
别名:IPD35N10S3L26ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK9K45-100E,115
仓库库存编号:
1727-7272-1-ND
别名:1727-7272-1
568-9902-1
568-9902-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 21.4A 53W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K45-100EX
仓库库存编号:
1727-2465-1-ND
别名:1727-2465-1
568-12850-1
568-12850-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Tc) 3.8W(Ta),79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF9530NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF9530NSTRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 130W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF540NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF540NSTRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7628-100A,118
仓库库存编号:
1727-7168-1-ND
别名:1727-7168-1
568-9653-1
568-9653-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 29A 64W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K32-100EX
仓库库存编号:
1727-2464-1-ND
别名:1727-2464-1
568-12849-1
568-12849-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 166W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9628-100A,118
仓库库存编号:
1727-7194-1-ND
别名:1727-7194-1
568-9683-1
568-9683-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP16CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP16CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP16CN10N G
IPP16CN10N G-ND
IPP16CN10NG
IPP16CN10NGIN
IPP16CN10NGIN-ND
IPP16CN10NGX
IPP16CN10NGXK
SP000680880
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7620-100A,118
仓库库存编号:
1727-7166-1-ND
别名:1727-7166-1
568-9651-1
568-9651-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名:IRF3710STRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
BUK9615-100A,118
仓库库存编号:
1727-7190-1-ND
别名:1727-7190-1
568-9678-1
568-9678-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7610-100B,118
仓库库存编号:
1727-5249-1-ND
别名:1727-5249-1
568-6573-1
568-6573-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 269W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN7R0-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7214-1-ND
别名:1727-7214-1
568-9705-1
568-9705-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB039N10N3 G
仓库库存编号:
IPB039N10N3 GCT-ND
别名:IPB039N10N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),83A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSB056N10NN3GXUMA1
仓库库存编号:
BSB056N10NN3GXUMA1CT-ND
别名:BSB056N10NN3 GCT
BSB056N10NN3 GCT-ND
BSB056N10NN3GXUMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP100N10S305AKSA1
仓库库存编号:
IPP100N10S305AKSA1-ND
别名:IPP100N10S3-05
IPP100N10S3-05-ND
IPP100N10S305
SP000407126
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4310ZTRL
仓库库存编号:
AUIRFS4310ZTRLCT-ND
别名:AUIRFS4310ZTRLCT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB027N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB027N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB027N10N5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 100V 10A
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) DPAK
型号:
STD10P10F6
仓库库存编号:
497-16300-1-ND
别名:497-16300-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 100W(Tc) D-Pak
型号:
STD25NF10LT4
仓库库存编号:
497-3156-1-ND
别名:497-3156-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 120W(Tc) DPAK
型号:
STD100N10F7
仓库库存编号:
497-13548-1-ND
别名:497-13548-1
497-13548-5
497-13548-5-ND
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 107A(Tc) 136W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL110N10F7
仓库库存编号:
497-13877-1-ND
别名:497-13877-1
规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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