规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA180N10T
仓库库存编号：
IXTA180N10T-ND
别名：615943
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 76A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP76P10T
仓库库存编号：
IXTP76P10T-ND
别名：621165
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA76P10T
仓库库存编号：
IXTA76P10T-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
型号：
FDH3632
仓库库存编号：
FDH3632FS-ND
别名：FDH3632-ND
FDH3632FS
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4010PBF
仓库库存编号：
IRFSL4010PBF-ND
别名：SP001567760
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4468PBF
仓库库存编号：
IRFP4468PBF-ND
别名：SP001554960
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
型号：
IXTT90P10P
仓库库存编号：
IXTT90P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR170P10P
仓库库存编号：
IXTR170P10P-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK180N10
仓库库存编号：
IXFK180N10-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB190SA10
仓库库存编号：
VS-FB190SA10-ND
别名：FB190SA10
FB190SA10-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
型号：
APTM10AM02FG
仓库库存编号：
APTM10AM02FG-ND
别名：APTM10AM02FGMI
APTM10AM02FGMI-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123NH6433XTMA1
仓库库存编号：
BSS123NH6433XTMA1CT-ND
别名：BSS123NH6433XTMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS123NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS123NH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS119NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSS119NH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS169H6327XTSA1CT-ND
别名：BSS169 H6327CT
BSS169 H6327CT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR316PH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
型号：
DMN10H170SVT-7
仓库库存编号：
DMN10H170SVT-7DICT-ND
别名：DMN10H170SVT-7DICT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP316PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP316PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP316PH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296NH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP296NH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP296NH6327XTSA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4486
仓库库存编号：
785-1552-1-ND
别名：785-1552-1
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD8P10TM
仓库库存编号：
FQD8P10TMCT-ND
别名：FQD8P10TMCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3910TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3910PBFCT-ND
别名：*IRFR3910TRPBF
IRFR3910PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC265N10LSFGATMA1
仓库库存编号：
BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS40DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS40DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS40DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），5.5A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD86113LZ
仓库库存编号：
FDD86113LZFSCT-ND
别名：FDD86113LZFSCT
规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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