规格:漏源电压(Vdss) 200V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 300mA(Ta) 1W(Ta) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1419DH-T1-E3
仓库库存编号:
SI1419DH-T1-E3CT-ND
别名:SI1419DH-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 950mA(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3475DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3475DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3475DV-T1-E3CT
SI3475DVT1E3
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.15A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4462DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4462DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4462DY-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-E3CT
SI7462DPT1E3
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 33A(Tc) 3.12W(Ta),156W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM33N20-60P-E3
仓库库存编号:
SUM33N20-60P-E3CT-ND
别名:SUM33N20-60P-E3CT
SUM33N2060PE3
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 36A(Tc) 3.12W(Ta),166W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM36N20-54P-E3
仓库库存编号:
SUM36N20-54P-E3CT-ND
别名:SUM36N20-54P-E3CT
SUM36N2054PE3
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 3.75W(Ta),60W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM09N20-270-E3
仓库库存编号:
SUM09N20-270-E3CT-ND
别名:SUM09N20-270-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 27A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 27A(Tc) 3.75W(Ta),150W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM27N20-78-E3
仓库库存编号:
SUM27N20-78-E3CT-ND
别名:SUM27N20-78-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 380mA(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2327DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2327DS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2327DS-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 200V 950mA(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3475DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3475DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3475DV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4418DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4418DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4418DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 2.6A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7462DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7462DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7462DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18.3A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE836DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE836DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE836DF-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 1.15A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4462DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4462DY-T1-GE3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 18.3A(Tc) 5.2W(Ta),104W(Tc) 10-PolarPAK?(SH)
型号:
SIE836DF-T1-E3
仓库库存编号:
SIE836DF-T1-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 36A(Tc) 3.12W(Ta),166W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP36N20-54P-E3
仓库库存编号:
SUP36N20-54P-E3-ND
规格:漏源电压(Vdss) 200V,
无铅
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