规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 74W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN026-80YS,115
仓库库存编号：
1727-4278-1-ND
别名：1727-4278-1
568-4910-1
568-4910-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 3A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC3512
仓库库存编号：
FDC3512CT-ND
别名：FDC3512CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 2.5W（Ta），66W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC123N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC123N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC123N08NS3 GCT
BSC123N08NS3 GCT-ND
BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Tc） 760mW（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2337DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2337DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2337DS-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），66W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ123N08NS3 G
仓库库存编号：
BSZ123N08NS3GINCT-ND
别名：BSZ123N08NS3GINCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS468DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS468DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS468DN-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7854TRPBF
仓库库存编号：
IRF7854TRPBFCT-ND
别名：IRF7854TRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7493TRPBF
仓库库存编号：
IRF7493PBFCT-ND
别名：*IRF7493TRPBF
IRF7493PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
型号：
SI4896DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4896DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4896DY-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 120W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2908TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR2908TRLPBFCT-ND
别名：IRLR2908TRLPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ478DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ478DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ478DP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC057N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC057N08NS3 GCT
BSC057N08NS3 GCT-ND
BSC057N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB054N08N3 G
仓库库存编号：
IPB054N08N3 GCT-ND
别名：IPB054N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880ADP-T1-GE3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号：
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名：IPD053N08N3GATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC047N08NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSC047N08NS3GATMA1CT-ND
别名：BSC047N08NS3 GCT
BSC047N08NS3 GCT-ND
BSC047N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7852ADP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7852ADP-T1-E3CT-ND
别名：SI7852ADP-T1-E3CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0808L-G
仓库库存编号：
VP0808L-G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN3R3-80BS,118
仓库库存编号：
1727-7108-1-ND
别名：1727-7108-1
568-9478-1
568-9478-1-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 270W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75545S3ST
仓库库存编号：
HUF75545S3STCT-ND
别名：HUF75545S3STCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB025N08N3 G
仓库库存编号：
IPB025N08N3 GCT-ND
别名：IPB025N08N3 GCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN3R5-80PS,127
仓库库存编号：
1727-5282-ND
别名：1727-5282
568-6710
568-6710-5
568-6710-5-ND
568-6710-ND
934065169127
PSMN3R580PS127
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 700mW（Ta），42W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN13008NH,L1Q
仓库库存编号：
TPN13008NHL1QCT-ND
别名：TPN13008NHL1QCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS3590
仓库库存编号：
FDS3590CT-ND
别名：FDS3590CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 80V 2.1A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8935
仓库库存编号：
FDS8935CT-ND
别名：FDS8935CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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