规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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EPC
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
型号：
EPC2103ENG
仓库库存编号：
917-EPC2103ENG-ND
别名：917-EPC2103ENG
EPC2103ENGRH7
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 31A（Ta） 模具
型号：
EPC2029ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2029ENGRCT-ND
别名：917-EPC2029CENGRCT
917-EPC2029CENGRCT-ND
917-EPC2029CENGRTCT
917-EPC2029CENGRTCT-ND
917-EPC2029ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.8A（Ta） 模具
型号：
EPC2039ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2039ENGRCT-ND
别名：917-EPC2039ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 10A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 10A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
型号：
AO4448L
仓库库存编号：
AO4448L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 80V 3.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AO4830L
仓库库存编号：
AO4830L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7493TR
仓库库存编号：
IRF7493TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6646TR1
仓库库存编号：
IRF6646TR1CT-ND
别名：IRF6646TR1CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3418PBF
仓库库存编号：
IRFU3418PBF-ND
别名：*IRFU3418PBF
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 80V 95A（Tc） 3.8W（Ta），210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1312PBF
仓库库存编号：
IRF1312PBF-ND
别名：*IRF1312PBF
SP001564478
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 12A（Ta），68A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6646TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6646TR1PBFCT-ND
别名：IRF6646TR1PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 55A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
型号：
IRF6668TR1PBF
仓库库存编号：
IRF6668TR1PBFCT-ND
别名：IRF6668TR1PBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 80V 38A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3518-701PBF
仓库库存编号：
IRFU3518-701PBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418PBF
仓库库存编号：
IRFR3418PBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418TRLPBF
仓库库存编号：
IRFR3418TRLPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.6A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7380QTRPBF
仓库库存编号：
IRF7380QTRPBFCT-ND
别名：IRF7380QTRPBFCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 70A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3418TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3418TRPBF-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD096N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD096N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD096N08N3 G
IPD096N08N3 G-ND
SP000474196
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD135N08N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD135N08N3GBTMA1TR-ND
别名：IPD135N08N3 G
IPD135N08N3 G-ND
SP000454266
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI028N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI028N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI028N08N3 G
IPI028N08N3 G-ND
SP000395160
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI037N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI037N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI037N08N3 G
IPI037N08N3 G-ND
SP000454278
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI057N08N3 G
仓库库存编号：
IPI057N08N3 G-ND
别名：SP000395182
SP000680662
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI070N08N3 G
仓库库存编号：
IPI070N08N3 G-ND
别名：SP000454290
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI100N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI100N08N3 G
IPI100N08N3 G-ND
SP000474192
SP000680710
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 45A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI139N08N3GHKSA1
仓库库存编号：
IPI139N08N3GHKSA1-ND
别名：IPI139N08N3 G
IPI139N08N3 G-ND
SP000457714
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规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N08N3 G
仓库库存编号：
IPP070N08N3 G-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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