规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），180A（Tc） 1.9W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB480L
仓库库存编号：
785-1213-1-ND
别名：785-1213-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM50P08-25L_GE3
仓库库存编号：
SQM50P08-25L_GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta） 25W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2279H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2279H-EL-E-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7455DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7455DP-T1-E3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83.3W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7455DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7455DP-T1-GE3-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 103W（Tc） TO-220
型号：
TK46E08N1,S1X
仓库库存编号：
TK46E08N1S1X-ND
别名：TK46E08N1,S1X(S
TK46E08N1S1X
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK46A08N1,S4X
仓库库存编号：
TK46A08N1S4X-ND
别名：TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-ND
TK46A08N1S4X
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R5-80ES,127
仓库库存编号：
1727-5283-ND
别名：1727-5283
568-6711
568-6711-5
568-6711-5-ND
568-6711-ND
934065163127
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 18.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），272.5W（Tc） TO-220
型号：
AOT282L
仓库库存编号：
AOT282L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-220
型号：
AOT280L
仓库库存编号：
AOT280L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 338W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN3R3-80ES,127
仓库库存编号：
1727-6502-ND
别名：1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 18.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），272.5W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB282L
仓库库存编号：
AOB282L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20.5A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 20.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB280L
仓库库存编号：
AOB280L-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 246W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
FDB024N08BL7
仓库库存编号：
FDB024N08BL7CT-ND
别名：FDB024N08BL7CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），333W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB482L
仓库库存编号：
785-1214-1-ND
别名：785-1214-1
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 220A 8PSOF
详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 300W（Tc） 8-PSOF
型号：
FDBL0330N80
仓库库存编号：
FDBL0330N80CT-ND
别名：FDBL0330N80CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19506KTT
仓库库存编号：
CSD19506KTT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB015N08N5ATMA1
仓库库存编号：
IPB015N08N5ATMA1CT-ND
别名：IPB015N08N5ATMA1CT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Texas Instruments
IC MOSFET N-CH 80V TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 200A（Ta） 375W（Tc） DDPAK/TO-263-3
型号：
CSD19506KTTT
仓库库存编号：
CSD19506KTTT-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
型号：
EPC2021ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2021ENGRCT-ND
别名：917-EPC2021ENGRCT
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N08
仓库库存编号：
IXFT80N08-ND
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 50A（Tc） 72W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD50N08S413ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N08S413ATMA1-ND
别名：SP000988948
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 40A（Tc） 63W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ084N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ084N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001227056
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 13A（Ta），50A（Tc） 2.8W（Ta）, 42W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSB104N08NP3GXUSA1
仓库库存编号：
BSB104N08NP3GXUSA1-ND
别名：SP001164330
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 82A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 82A（Tc） 2.5W（Ta），74W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC061N08NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC061N08NS5ATMA1-ND
别名：SP001232634
规格：漏源电压（Vdss） 80V,
无铅
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