规格:漏源电压(Vdss) 80V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(469)
分立半导体产品
(469)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(35)
Diodes Incorporated(8)
EPC(10)
Fairchild/Micross Components(80)
Fairchild/ON Semiconductor(27)
Infineon Technologies(105)
IXYS(3)
Kionix Inc.(1)
Microchip Technology(2)
Nexperia USA Inc.(64)
NXP USA Inc.(11)
ON Semiconductor(3)
Panasonic - ATG(2)
Panasonic Industrial Automation Sales(1)
Renesas Electronics America(8)
Rohm Semiconductor(2)
STMicroelectronics(25)
Taiwan Semiconductor Corporation(3)
Texas Instruments(8)
Toshiba Semiconductor and Storage(15)
Vishay BC Components(7)
Vishay Beyschlag(25)
Vishay Electro-Films(13)
Vishay Huntington Electric Inc.(2)
Vishay Semiconductor Diodes Division(2)
Vishay Semiconductor Opto Division(1)
Vishay Sfernice(2)
Vishay Siliconix(2)
Vishay Spectrol(1)
Vishay Sprague(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 130W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN8R2-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4272-1-ND
别名:1727-4272-1
568-4904-1
568-4904-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 117W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-80YS,115
仓库库存编号:
1727-4623-1-ND
别名:1727-4623-1
568-5577-1
568-5577-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3518TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3518TRPBFCT-ND
别名:IRFR3518TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 238W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y8R5-80EX
仓库库存编号:
1727-1127-1-ND
别名:1727-1127-1
568-10282-1
568-10282-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ075N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSZ075N08NS5ATMA1CT-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU135N08N3 G
仓库库存编号:
IPU135N08N3 G-ND
别名:IPU135N08N3G
IPU135N08N3GBKMA1
SP000521642
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN8R7-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7217-1-ND
别名:1727-7217-1
568-9708-1
568-9708-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.5W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC040N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC040N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC040N08NS5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 324W(Tc) D2PAK
型号:
BUK964R7-80E,118
仓库库存编号:
1727-1063-1-ND
别名:1727-1063-1
568-10173-1
568-10173-1-ND
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB031N08N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB031N08N5ATMA1CT-ND
别名:IPB031N08N5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 80V 6-SSOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3535
仓库库存编号:
FDC3535CT-ND
别名:FDC3535CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 28A(Tc) 5.2W(Ta),83.3W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7469DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7469DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7469DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR826ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR826ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR826ADP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 176W(Tc) TO-220
型号:
STP100N8F6
仓库库存编号:
497-15553-5-ND
别名:497-15553-5
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),130A(Tc) 2.7W(Ta),156W(Tc) Power56
型号:
FDMS86350
仓库库存编号:
FDMS86350CT-ND
别名:FDMS86350CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 80V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Tc) 3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2337ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2337ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2337ES-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
详细描述:表面贴装 N 沟道 150A(Tc) 136W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SQJQ480E-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
别名:SQJQ480E-T1_GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),156W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC026N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC026N08NS5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB019N08N3 G
仓库库存编号:
IPB019N08N3 GCT-ND
别名:IPB019N08N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 3.4A 1.4W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8K41GZETB
仓库库存编号:
SH8K41GZETBCT-ND
别名:SH8K41GZETBCT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 49A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC117N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC117N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC117N08NS5ATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 80V 3.4A, 2.6A 2W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8M41TB1
仓库库存编号:
SH8M41TB1CT-ND
别名:SH8M41TB1CT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK35A08N1,S4X
仓库库存编号:
TK35A08N1S4X-ND
别名:TK35A08N1,S4X(S
TK35A08N1,S4X-ND
TK35A08N1S4X
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 315W(Tc) H2PAK
型号:
STH270N8F7-6
仓库库存编号:
497-13874-1-ND
别名:497-13874-1
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 44A(Tc) 2.7W(Ta) TO-252
型号:
DMT8012LK3-13
仓库库存编号:
DMT8012LK3-13DICT-ND
别名:DMT8012LK3-13DICT
规格:漏源电压(Vdss) 80V,
无铅
搜索
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号