规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TR
仓库库存编号：
IRFR3706TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRL
仓库库存编号：
IRFR3706TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 88W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3706TRR
仓库库存编号：
IRFR3706TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TR
仓库库存编号：
IRFR3711TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRL
仓库库存编号：
IRFR3711TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRR
仓库库存编号：
IRFR3711TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STR
仓库库存编号：
IRL3714STR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STRL
仓库库存编号：
IRL3714STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STRR
仓库库存编号：
IRL3714STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3714TR
仓库库存编号：
IRL3714TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715STRL
仓库库存编号：
IRL3715STRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715STRR
仓库库存编号：
IRL3715STRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TR
仓库库存编号：
IRL3715TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRL
仓库库存编号：
IRL3715TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRR
仓库库存编号：
IRL3715TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714TRL
仓库库存编号：
IRLR3714TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714TRR
仓库库存编号：
IRLR3714TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TR
仓库库存编号：
IRLR3715TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRL
仓库库存编号：
IRLR3715TRL-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRR
仓库库存编号：
IRLR3715TRR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
IRF7757TR
仓库库存编号：
IRF7757TR-ND
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7534D1TR
仓库库存编号：
IRF7534D1CT-ND
别名：*IRF7534D1TR
IRF7534D1CT
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3716
仓库库存编号：
IRL3716-ND
别名：*IRL3716
Q1265959
SP001568284
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716S
仓库库存编号：
IRL3716S-ND
别名：*IRL3716S
Q1282555
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 26A（Ta），85A（Tc） 3.6W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MT
型号：
IRF6601
仓库库存编号：
IRF6601CT-ND
别名：IRF6601CT
规格：漏源电压（Vdss） 20V,
含铅
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