规格:漏源电压(Vdss) 150V,
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 240A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 240A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK240N15T2
仓库库存编号:
IXFK240N15T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 150A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N15P
仓库库存编号:
IXFN180N15P-ND
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 360A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX360N15T2
仓库库存编号:
IXFX360N15T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 360A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 360A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK360N15T2
仓库库存编号:
IXFK360N15T2-ND
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 1.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7465TRPBF
仓库库存编号:
IRF7465PBFCT-ND
别名:*IRF7465TRPBF
IRF7465PBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 56.8W(Tc) D-Pak
型号:
FDD770N15A
仓库库存编号:
FDD770N15ACT-ND
别名:FDD770N15ACT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
详细描述:表面贴装 P 沟道 420mA(Ta) 1W(Ta)
型号:
SI1411DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1411DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1411DH-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 1.6A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.5W(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN86246
仓库库存编号:
FDN86246CT-ND
别名:FDN86246CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Tc) 42W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC2523P
仓库库存编号:
FDMC2523PCT-ND
别名:FDMC2523PCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 63W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FDD390N15A
仓库库存编号:
FDD390N15ACT-ND
别名:FDD390N15ACT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.8A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7317DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7317DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7317DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 21A 8-TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 57W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ520N15NS3 G
仓库库存编号:
BSZ520N15NS3 GCT-ND
别名:BSZ520N15NS3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3440DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3440DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3440DV-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF6216TRPBF
仓库库存编号:
IRF6216TRPBFCT-ND
别名:IRF6216TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 13A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR6215TRPBF
仓库库存编号:
IRFR6215TRPBFCT-ND
别名:IRFR6215TRPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFR4615TRLPBFCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 1.6W(Ta),57W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH3300CNH,L1Q
仓库库存编号:
TPH3300CNHL1QCT-ND
别名:TPH3300CNH,L1QCT
TPH3300CNH,L1QCT-ND
TPH3300CNHL1QCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 5.9W(Tc) 8-SO
型号:
SI4455DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4455DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4455DY-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-E3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.2A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7818DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7818DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7818DN-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7898DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7898DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7898DP-T1-GE3CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta),27A(Tc) 2.5W(Ta),78W(Tc) Power56
型号:
FDMS2572
仓库库存编号:
FDMS2572CT-ND
别名:FDMS2572CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD200N15N3GATMA1CT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
仓库库存编号:
IPB200N15N3 GCT-ND
别名:IPB200N15N3 GCT
规格:漏源电压(Vdss) 150V,
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