规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 11A(Tc) 114W(Tc) DPAK-3
型号:
NDD60N360U1T4G
仓库库存编号:
NDD60N360U1T4G-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-1G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 114W(Tc) I-Pak
型号:
NDD60N360U1-35G
仓库库存编号:
NDD60N360U1-35G-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA4N60P3
仓库库存编号:
IXFA4N60P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 5A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 114W(Tc) TO-252
型号:
IXFY5N50P3
仓库库存编号:
IXFY5N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 5A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 114W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA5N50P3
仓库库存编号:
IXFA5N50P3-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名:BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 114W(Tc) DPAK
型号:
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号:
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名:934061623118
规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
含铅
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