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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 81W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R0-30YL,115
仓库库存编号:
1727-4165-1-ND
别名:1727-4165-1
568-4681-1
568-4681-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 60A(Tc) 81W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPH7R006PL,L1Q
仓库库存编号:
TPH7R006PLL1QCT-ND
别名:TPH7R006PLL1QCT
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
无铅
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDB
仓库库存编号:
TPH3206LDB-ND
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
搜索
Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LSB
仓库库存编号:
TPH3206LSB-ND
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
搜索
Transphorm
GAN FET 650V 16A PQFN88
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) PQFN(8x8)
型号:
TPH3206LDGB
仓库库存编号:
TPH3206LDGB-ND
别名:TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 81W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R185P7AUMA1
仓库库存编号:
IPL60R185P7AUMA1CT-ND
别名:IPL60R185P7AUMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
无铅
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Transphorm
MOSFET N-CH GANFET 650V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 81W(Tc) TO-220AB
型号:
TPH3206PSB
仓库库存编号:
TPH3206PSB-ND
规格:功率耗散(最大值) 81W(Tc),
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