规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6327
仓库库存编号:
BSS139 E6327-ND
别名:BSS139E6327XT
SP000011170
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139 E6906
仓库库存编号:
BSS139 E6906-ND
别名:BSS139E6906XT
SP000055415
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6327
仓库库存编号:
BSS159N E6327-ND
别名:BSS159NE6327XT
SP000014638
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159N E6906
仓库库存编号:
BSS159N E6906-ND
别名:BSS159NE6906XT
SP000055412
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169 E6327
仓库库存编号:
BSS169 E6327-ND
别名:BSS169E6327XT
SP000011172
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169 E6906
仓库库存编号:
BSS169 E6906-ND
别名:BSS169E6906XT
SP000055416
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P E6433
仓库库存编号:
BSS84P E6433-ND
别名:BSS84PE6433XT
SP000012323
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6327
仓库库存编号:
SN7002N E6327-ND
别名:SN7002NE6327XT
SP000014634
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6433
仓库库存编号:
SN7002N E6433-ND
别名:SN7002NE6433XT
SP000014635
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS123L6327HTSA1CT-ND
别名:BSS123L6327
BSS123L6327INCT
BSS123L6327INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS138NL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS138NL6327
BSS138NL6327INCT
BSS138NL6327INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728N
仓库库存编号:
BSS7728NINCT-ND
别名:BSS7728NINCT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS84PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS84PL6327
BSS84PL6327INCT
BSS84PL6327INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 110mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS131L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS131L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS131 L6327
BSS131 L6327-ND
BSS131L6327XT
Q4284473
SP000247293
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6327
BSS139 L6327-ND
SP000247295
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 100mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS139L6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS139L6906HTSA1TR-ND
别名:BSS139 L6906
BSS139 L6906-ND
SP000247296
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS159N L6327
BSS159N L6327-ND
SP000247297
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169L6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS169L6327HTSA1TR-ND
别名:BSS169 L6327
BSS169 L6327-ND
SP000247299
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2LL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS670S2LL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS670S2L L6327
BSS670S2L L6327-ND
SP000247301
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS7728NL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS7728NL6327HTSA1TR-ND
别名:BSS7728N L6327
BSS7728N L6327-ND
SP000247302
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS83PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSS83PL6327CT-ND
BSS83PL6327CT_ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS159NH6327XTSA1-ND
别名:BSS159N H6327
BSS159N H6327-ND
SP000639076
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSS83P L6327-ND
别名:BSS83P L6327
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSS84PH6327XTSA1-ND
别名:BSS84P H6327
BSS84P H6327-ND
SP000702496
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS159NL6906HTSA1
仓库库存编号:
BSS159NL6906HTSA1CT-ND
别名:BSS159N L6906CT
BSS159N L6906CT-ND
BSS159NL6906
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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