规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N L6327
仓库库存编号:
SN7002NL6327INCT-ND
别名:SN7002NL6327
SN7002NL6327INCT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号:
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名:BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84TA
仓库库存编号:
BSS84ZXCT-ND
别名:BSS84ZX
BSS84ZXCT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXM41N10FTA
仓库库存编号:
ZXM41N10FCT-ND
别名:ZXM41N10FCT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS123ATA
仓库库存编号:
BSS123ACT-ND
别名:BSS123ACT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138_L99Z
仓库库存编号:
BSS138_L99Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 50V 130mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS84_D87Z
仓库库存编号:
BSS84_D87Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS123_D87Z
仓库库存编号:
BSS123_D87Z-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.22A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 220mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3
型号:
BSS138_D87Z
仓库库存编号:
BSS138_D87ZCT-ND
别名:BSS138_D87ZCT
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119E6327
仓库库存编号:
BSS119INCT-ND
别名:BSS119INCT
BSS119XTINCT
BSS119XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123E6327
仓库库存编号:
BSS123INCT-ND
别名:BSS123INCT
BSS123XTINCT
BSS123XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V .11A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 110mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS131E6327
仓库库存编号:
BSS131INCT-ND
别名:BSS131INCT
BSS131XTINCT
BSS131XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N-E6327
仓库库存编号:
BSS138NEINCT-ND
别名:BSS138INCT
BSS138INCT-ND
BSS138NE6327
BSS138NEINCT
BSS138NEXTINCT
BSS138NEXTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS84P-E6327
仓库库存编号:
BSS84PINCT-ND
别名:BSS84PE6327
BSS84PINCT
BSS84PXTINCT
BSS84PXTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2L
仓库库存编号:
BSS670S2LINCT-ND
别名:BSS670S2LINCT
BSS670S2LXTINCT
BSS670S2LXTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 330mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS83PE6327
仓库库存编号:
BSS83PE6327INCT-ND
别名:BSS83PE6327INCT
BSS83PE6327XTINCT
BSS83PE6327XTINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E6433
仓库库存编号:
BSS119 E6433-ND
别名:BSS119E6433XT
SP000011164
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E7796
仓库库存编号:
BSS119 E7796-ND
别名:BSS119E7796T
SP000011162
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119 E7978
仓库库存编号:
BSS119 E7978-ND
别名:BSS119E7978XT
SP000011163
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123 E6433
仓库库存编号:
BSS123 E6433-ND
别名:BSS123E6433XT
SP000011166
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS123L7874XT
仓库库存编号:
BSS123L7874XTTR-ND
别名:BSS123 E7874
BSS123 E7874-ND
BSS123E7874T
SP000011167
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6433
仓库库存编号:
BSS138N E6433-ND
别名:BSS138NE6433XT
SP000014561
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E6908
仓库库存编号:
BSS138N E6908-ND
别名:BSS138NE6908T
SP000014564
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E7854
仓库库存编号:
BSS138N E7854-ND
别名:BSS138NE7854XT
SP000014562
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS138N E8004
仓库库存编号:
BSS138N E8004-ND
别名:BSS138NE8004XT
SP000014563
规格:功率耗散(最大值) 360mW(Ta),
无铅
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