品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 44A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN44N50
仓库库存编号:
IXFN44N50-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 48A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN48N50
仓库库存编号:
IXFN48N50-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN200N07
仓库库存编号:
IXFN200N07-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT1N450HV
仓库库存编号:
IXTT1N450HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 27A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN27N80
仓库库存编号:
IXFN27N80-ND
别名:468185
Q1653251
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 36A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN36N60
仓库库存编号:
IXFN36N60-ND
别名:460869
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 520W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ120N25X3
仓库库存编号:
IXFQ120N25X3-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXFH120N25X3
仓库库存编号:
IXFH120N25X3-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 520W(Tc) TO-268HV
型号:
IXFT120N25X3HV
仓库库存编号:
IXFT120N25X3HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL132N50P3
仓库库存编号:
IXFL132N50P3-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-247
型号:
IXTH3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTH3N200P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 108A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL210N30P3
仓库库存编号:
IXFL210N30P3-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH2N300P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH1N450HV
仓库库存编号:
IXTH1N450HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT3N200P3HV
仓库库存编号:
IXTT3N200P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT2N300P3HV
仓库库存编号:
IXTT2N300P3HV-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
不受无铅要求限制
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IXYS
SMPD HIPERFETS & MOSFETS
详细描述:表面贴装 N 沟道 63A(Tc) 520W(Tc) Polar3?
型号:
MMIX1T132N50P3
仓库库存编号:
MMIX1T132N50P3-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH80N20L
仓库库存编号:
IXTH80N20L-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 80A(Tc) 520W(Tc) TO-268
型号:
IXTT80N20L
仓库库存编号:
IXTT80N20L-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 50A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 50A(Tc) 520W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX50N50
仓库库存编号:
IXFX50N50-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 29A(Tc) 520W(Tc) ISOPLUSi5-Pak?
型号:
IXFL38N100P
仓库库存编号:
IXFL38N100P-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN100N20
仓库库存编号:
IXFN100N20-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 70V 180A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN180N07
仓库库存编号:
IXFN180N07-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 21A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN21N100Q
仓库库存编号:
IXFN21N100Q-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 27A(Tc) 520W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN27N80Q
仓库库存编号:
IXFN27N80Q-ND
品牌:IXYS,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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