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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H
  仓库库存编号：BUZ73A H-ND
  别名：BUZ73AH
  BUZ73AHXKSA1
  SP000683004
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H3046
  仓库库存编号：BUZ73A H3046-ND
  别名：BUZ73AH3046
  BUZ73AH3046XKSA1
  SP000683006
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73ALHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73ALHXKSA1-ND
  别名：BUZ73AL H
  BUZ73AL H-ND
  BUZ73ALH
  SP000683012
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73LHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73LHXKSA1-ND
  别名：BUZ73L H
  BUZ73L H-ND
  SP000683014
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD07N20GBTMA1
  仓库库存编号：SPD07N20GBTMA1CT-ND
  别名：SPD07N20 GCT
  SPD07N20 GCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 40W（Tc）,
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