规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM60ND
仓库库存编号:
497-8461-5-ND
别名:497-8461-5
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),80A(Tc) 255W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB060AN08A0
仓库库存编号:
FDB060AN08A0CT-ND
别名:FDB060AN08A0CT
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R099CP
仓库库存编号:
IPB60R099CPCT-ND
别名:IPB60R099CPCT
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099CPXKSA1-ND
别名:IPP60R099CP
IPP60R099CPIN
IPP60R099CPIN-ND
IPP60R099CPXK
IPP60R099CSIN
IPP60R099CSIN-ND
IPP60R099CSX
IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247
型号:
STW47NM60ND
仓库库存编号:
497-13126-5-ND
别名:497-13126-5
STW47NM60ND-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220
型号:
TK100E10N1,S1X
仓库库存编号:
TK100E10N1S1X-ND
别名:TK100E10N1,S1X(S
TK100E10N1S1X
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220
型号:
TK100E08N1,S1X
仓库库存编号:
TK100E08N1S1X-ND
别名:TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099CP
仓库库存编号:
IPW60R099CP-ND
别名:IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CPXK
IPW60R099CSX
SP000067147
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 255W(Tc) TO-247
型号:
STW60N65M5
仓库库存编号:
497-11368-5-ND
别名:497-11368-5
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R037P7XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R037P7XKSA1-ND
别名:SP001606060
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 76A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-4
型号:
IPZ60R037P7XKSA1
仓库库存编号:
IPZ60R037P7XKSA1-ND
别名:SP001606064
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 255W(Tc) TO-220
型号:
TK100E06N1,S1X
仓库库存编号:
TK100E06N1S1X-ND
别名:TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1S1X
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM60N
仓库库存编号:
497-8460-5-ND
别名:497-8460-5
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3651U
仓库库存编号:
FDP3651U-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Ta),80A(Tc) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP060AN08A0
仓库库存编号:
FDP060AN08A0-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Ta) 255W(Tc) TO-220-3
型号:
TK72E12N1,S1X
仓库库存编号:
TK72E12N1S1X-ND
别名:TK72E12N1,S1X(S
TK72E12N1S1X
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R099CPAATMA1
仓库库存编号:
IPB60R099CPAATMA1TR-ND
别名:IPB60R099CPA
IPB60R099CPA-ND
SP000315443
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R099CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R099CPXKSA1-ND
别名:IPI60R099CP
IPI60R099CP-ND
IPI60R099CPAKSA1
SP000297356
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 31A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R099CPAAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R099CPAAKSA1-ND
别名:IPI60R099CPA
IPI60R099CPA-ND
SP000315454
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 31A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R099CPAAKSA1
仓库库存编号:
IPP60R099CPAAKSA1-ND
别名:IPP60R099CPA
IPP60R099CPA-ND
SP000315418
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099CPAFKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099CPAFKSA1-ND
别名:SP000597860
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 500V 37A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
STW43NM50N
仓库库存编号:
497-8459-5-ND
别名:497-8459-5
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 31A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 31A(Tc) 255W(Tc) TO-247-3
型号:
APT31N60BCSG
仓库库存编号:
APT31N60BCSG-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 75A(Tc) 255W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK753R4-30B,127
仓库库存编号:
568-6624-5-ND
别名:568-6624
568-6624-5
568-6624-ND
934060026127
BUK753R4-30B,127-ND
规格:功率耗散(最大值) 255W(Tc),
无铅
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