品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(26)
分立半导体产品
(26)
筛选品牌
Vishay Siliconix (26)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB11N50APBF
仓库库存编号:
IRFB11N50APBF-ND
别名:*IRFB11N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60APBF
仓库库存编号:
IRFSL9N60APBF-ND
别名:*IRFSL9N60APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60APBF
仓库库存编号:
IRFB9N60APBF-ND
别名:*IRFB9N60APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50APBF
仓库库存编号:
IRFS11N50APBF-ND
别名:*IRFS11N50APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRLPBF
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRLPBFCT-ND
别名:IRFS9N60ATRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS11N50A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS11N50A-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHFS9N60A-GE3
仓库库存编号:
SIHFS9N60A-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHFB11N50A-E3
仓库库存编号:
SIHFB11N50A-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) TO-263AB
型号:
IRFS11N50ATRLP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRLP-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRRP
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRRP-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB11N50A
仓库库存编号:
IRFB11N50A-ND
别名:*IRFB11N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N60A
仓库库存编号:
IRFB9N60A-ND
别名:*IRFB9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 8.9A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 600V 8.9A(Tc) 170W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC48
仓库库存编号:
IRFPC48-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50A
仓库库存编号:
IRFS11N50A-ND
别名:*IRFS11N50A
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) TO-262-3
型号:
IRFSL9N60A
仓库库存编号:
IRFSL9N60A-ND
别名:*IRFSL9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60A
仓库库存编号:
IRFS9N60A-ND
别名:*IRFS9N60A
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRL
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 11A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS11N50ATRR
仓库库存编号:
IRFS11N50ATRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRL
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS9N60ATRR
仓库库存编号:
IRFS9N60ATRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60ATRL
仓库库存编号:
IRFSL9N60ATRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) I2PAK
型号:
IRFSL9N60ATRR
仓库库存编号:
IRFSL9N60ATRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRL
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807ZSTRR
仓库库存编号:
IRF2807ZSTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205ZSTRL
仓库库存编号:
IRF3205ZSTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:功率耗散(最大值) 170W(Tc),
含铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号