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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 55A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA55N25
仓库库存编号：
FQA55N25-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB3632_F085
仓库库存编号：
FDB3632_F085CT-ND
别名：FDB3632_F085CT
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 310W（Tc） TO-247
型号：
FDH047AN08A0
仓库库存编号：
FDH047AN08A0FS-ND
别名：FDH047AN08A0-ND
FDH047AN08A0FS
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
型号：
STP140NF75
仓库库存编号：
497-5894-5-ND
别名：497-5894-5
STP140NF75-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 79A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2532
仓库库存编号：
FDP2532-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
型号：
STB140NF75T4
仓库库存编号：
497-6547-1-ND
别名：497-6547-1
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 44A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4229PBF
仓库库存编号：
IRFP4229PBF-ND
别名：SP001578046
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB-3
详细描述：通孔 N 沟道 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP047AN08A0_F102
仓库库存编号：
FDP047AN08A0_F102-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
60V 80A 3.8 OHMS NCH POWER TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 310W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP038AN06A0_F102
仓库库存编号：
FDP038AN06A0_F102-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 23.5A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 23.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA24N60
仓库库存编号：
FQA24N60FS-ND
别名：FQA24N60-ND
FQA24N60FS
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR30N50Q
仓库库存编号：
IXFR30N50Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 200V 71A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N20Q
仓库库存编号：
IXFR80N20Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 150V 75A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N15Q
仓库库存编号：
IXFR80N15Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR26N60Q
仓库库存编号：
IXFR26N60Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR32N50Q
仓库库存编号：
IXFR32N50Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 34A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR44N50Q
仓库库存编号：
IXFR44N50Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 40A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR48N50Q
仓库库存编号：
IXFR48N50Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR32P60P
仓库库存编号：
IXTR32P60P-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 76A（Tc） 310W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR80N10Q
仓库库存编号：
IXFR80N10Q-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP1405
仓库库存编号：
AUIRFP1405-ND
别名：SP001515966
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 170A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 75V 170A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
AUIRFP2907Z
仓库库存编号：
AUIRFP2907Z-ND
别名：SP001521648
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 40V 120A（Tc） 310W（Tc） I2PAK
型号：
STB200NF04-1
仓库库存编号：
497-3512-5-ND
别名：497-3512-5
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 310W（Tc） D2PAK
型号：
STB190NF04T4
仓库库存编号：
STB190NF04T4-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 600V 16A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB16N60LPBF
仓库库存编号：
IRFB16N60LPBF-ND
别名：*IRFB16N60LPBF
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI047AN08A0
仓库库存编号：
FDI047AN08A0-ND
规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
无铅
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