品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P4L04ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P4L04ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P4L04ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.9A(Ta),90A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC060N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC060N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC060N10NS3 GCT
BSC060N10NS3 GCT-ND
BSC060N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC190N15NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC190N15NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC190N15NS3 GCT
BSC190N15NS3 GCT-ND
BSC190N15NS3GATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC320N20NS3 G
仓库库存编号:
BSC320N20NS3 GCT-ND
别名:BSC320N20NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC600N25NS3 G
仓库库存编号:
BSC600N25NS3 GCT-ND
别名:BSC600N25NS3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30P06P G
仓库库存编号:
SPD30P06P GCT-ND
别名:SPD30P06P GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB083N10N3 G
仓库库存编号:
IPB083N10N3 GCT-ND
别名:IPB083N10N3 GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD082N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD082N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD082N10N3GATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB11N60C3
仓库库存编号:
SPB11N60C3INCT-ND
别名:SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 95A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
IRFB7545PBF
仓库库存编号:
IRFB7545PBF-ND
别名:SP001563968
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N10S312AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N10S312AKSA1-ND
别名:IPP70N10S3-12
IPP70N10S3-12-ND
IPP70N10S312
SP000407122
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW11N60C3
仓库库存编号:
SPW11N60C3IN-ND
别名:SP000013728
SPW11N60C3-ND
SPW11N60C3FKSA1
SPW11N60C3IN
SPW11N60C3X
SPW11N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP086N10N3 G
IPP086N10N3 G-ND
IPP086N10N3G
SP000680840
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N10S312ATMA1
仓库库存编号:
IPB70N10S312ATMA1CT-ND
别名:IPB70N10S3-12INCT
IPB70N10S3-12INCT-ND
IPB70N10S312ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD12CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD12CN10NGATMA1CT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 125W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRF40H210
仓库库存编号:
IRF40H210CT-ND
别名:IRF40H210CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ30A H
仓库库存编号:
BUZ30A H-ND
别名:BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 69A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10LGXKSA1-ND
别名:IPP12CN10L G
IPP12CN10L G-ND
IPP12CN10LG
SP000680864
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI086N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI086N10N3GXKSA1-ND
别名:IPI086N10N3 G
IPI086N10N3 G-ND
IPI086N10N3G
SP000485982
SP000683070
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP052N08N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP052N08N5AKSA1-ND
别名:SP001227050
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P405ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P405ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7787TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7787TRLPBFCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 179A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
IRFR8314TRPBF
仓库库存编号:
IRFR8314TRPBFCT-ND
别名:IRFR8314TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 184A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3
型号:
IRLB8314PBF
仓库库存编号:
IRLB8314PBF-ND
别名:64-0101PBF
64-0101PBF-ND
SP001572766
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681040
SPP11N60C3
SPP11N60C3BKSA1
SPP11N60C3IN
SPP11N60C3IN-ND
SPP11N60C3X
SPP11N60C3XIN
SPP11N60C3XIN-ND
SPP11N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 125W(Tc),
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