规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(30)
分立半导体产品
(30)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (4)
Infineon Technologies (9)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
STMicroelectronics (12)
Texas Instruments (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Cree/Wolfspeed (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R140CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R140CPHKSA1-ND
别名:IPP50R140CP
IPP50R140CP-ND
SP000234986
规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20A(Tc) 192W(Tc) TO-220AB
型号:
STP20NM60A
仓库库存编号:
497-4376-5-ND
别名:497-4376-5
规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 192W(Tc) I2PAK
型号:
STB20NM60-1
仓库库存编号:
497-5383-5-ND
别名:497-5383-5
STB20NM60-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 192W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA10N60C
仓库库存编号:
FQA10N60C-ND
规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 550V 23A(Tc) 192W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R140CP
仓库库存编号:
IPI50R140CP-ND
别名:SP000396822
规格:功率耗散(最大值) 192W(Tc),
无铅
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号