品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(112)
分立半导体产品
(112)
筛选品牌
Infineon Technologies (112)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号:
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名:SP001563134
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名:SP000936514
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR8401TRL
仓库库存编号:
IFAUIRFR8401TRL-ND
别名:IFAUIRFR8401TRL
SP001520504
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 40V 100A(Tc) 79W(Tc) I-Pak
型号:
AUIRFU8401
仓库库存编号:
IRAUIRFU8401-ND
别名:IRAUIRFU8401
SP001518756
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 120A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB120N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N04S404ATMA1-ND
别名:SP000952816
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028668
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S4L07AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S4L07AKSA2-ND
别名:SP001028678
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI80N06S407AKSA2
仓库库存编号:
IPI80N06S407AKSA2-ND
别名:SP001028676
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP048N04NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP048N04NGXKSA1-ND
别名:IPP048N04N G
IPP048N04N G-ND
IPP048N04NG
SP000648308
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP084N06L3GXKSA1-ND
别名:IPP084N06L3 G
IPP084N06L3 G-ND
SP000680838
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI084N06L3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI084N06L3GXKSA1-ND
别名:SP001065242
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGBKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGBKMA1-ND
别名:IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS040N03LGIN
IPS040N03LGIN-ND
SP000256159
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRL
仓库库存编号:
IRFR3910TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3910
仓库库存编号:
IRFU3910-ND
别名:*IRFU3910
SP001578418
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910TRR
仓库库存编号:
IRFR3910TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRL
仓库库存编号:
IRLR3410TRL-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410TRR
仓库库存编号:
IRLR3410TRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711Z
仓库库存编号:
IRFR3711Z-ND
别名:*IRFR3711Z
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTR
仓库库存编号:
IRFR3711ZTR-ND
别名:SP001571586
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRL
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRL-ND
别名:SP001557036
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 93A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3711ZTRR
仓库库存编号:
IRFR3711ZTRR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZCS
仓库库存编号:
IRF3711ZCS-ND
别名:*IRF3711ZCS
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 92A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3711ZS
仓库库存编号:
IRF3711ZS-ND
别名:*IRF3711ZS
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 86A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3709Z
仓库库存编号:
IRFR3709Z-ND
别名:*IRFR3709Z
SP001555082
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 87A(Tc) 79W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3709ZCS
仓库库存编号:
IRF3709ZCS-ND
别名:*IRF3709ZCS
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 79W(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号