品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP17N80C3
仓库库存编号:
SPP17N80C3IN-ND
别名:SP000013354
SP000683164
SPP17N80C3IN
SPP17N80C3X
SPP17N80C3XK
SPP17N80C3XKSA1
SPP17N80C3XTIN
SPP17N80C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60C3
仓库库存编号:
SPW20N60C3IN-ND
别名:SP000013729
SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN
SPW20N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681058
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N50C3
仓库库存编号:
SPB21N50C3INCT-ND
别名:SPB21N50C3INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB90R340C3ATMA1
仓库库存编号:
IPB90R340C3ATMA1CT-ND
别名:IPB90R340C3ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP21N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP21N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681066
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW21N50C3
仓库库存编号:
SPW21N50C3IN-ND
别名:SP000014464
SPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3X
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XTIN-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681064
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R125CP
仓库库存编号:
IPW60R125CP-ND
别名:IPW60R125CPFKSA1
IPW60R125CPX
IPW60R125CPXK
SP000088489
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R340C3
仓库库存编号:
IPW90R340C3-ND
别名:IPW90R340C3FKSA1
SP000411306
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R340C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R340C3XKSA1-ND
别名:IPP90R340C3
IPP90R340C3-ND
SP000411304
SP000683098
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125CPXKSA1-ND
别名:IPP60R125CP
IPP60R125CP-ND
IPP60R125CPX
IPP60R125CPXK
SP000088488
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 16.1A(Tc) 208W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R250E6XTMA1
仓库库存编号:
IPD65R250E6XTMA1CT-ND
别名:IPD65R250E6XTMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 25A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R125CP
仓库库存编号:
IPB60R125CPCT-ND
别名:IPB60R125CPCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFS7440TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7440TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7440TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB20N60C3
仓库库存编号:
SPB20N60C3INCT-ND
别名:SPB20N60C3INCT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI60R125CPXKSA1-ND
别名:IPI60R125CP
IPI60R125CP-ND
SP000297355
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 208W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7440GPBF
仓库库存编号:
IRFB7440GPBF-ND
别名:SP001577780
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 208W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL7440PBF
仓库库存编号:
IRFSL7440PBF-ND
别名:SP001573650
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 160A(Tc) 208W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N08S403ATMA1
仓库库存编号:
IPB160N08S403ATMA1-ND
别名:SP000989092
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 560V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI21N50C3XKSA1-ND
别名:SP000681012
SPI21N50C3
SPI21N50C3-ND
SPI21N50C3X
SPI21N50C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3XKSA1-ND
别名:SP000681006
SPI20N60C3
SPI20N60C3-ND
SPI20N60C3IN
SPI20N60C3IN-ND
SPI20N60C3X
SPI20N60C3XK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N60CFDXKSA1
仓库库存编号:
SPP20N60CFDXKSA1-ND
别名:SP000681060
SPP20N60CFD
SPP20N60CFD-ND
SPP20N60CFDIN
SPP20N60CFDIN-ND
SPP20N60CFDX
SPP20N60CFDXK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R340C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R340C3XKSA1-ND
别名:IPI90R340C3
IPI90R340C3-ND
SP000413726
SP000683082
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW20N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW20N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000014535
SPW20N60CFD
SPW20N60CFD-ND
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDIN-ND
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFDXK
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 208W(Tc),
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