规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB42N03S2L-13 G
仓库库存编号:
SPB42N03S2L-13 G-ND
别名:SP000200137
SPB42N03S2L13GXT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N60S5HKSA1
仓库库存编号:
SPI07N60S5HKSA1-ND
别名:SP000013025
SP000680980
SPI07N60S5
SPI07N60S5-ND
SPI07N60S5IN
SPI07N60S5IN-ND
SPI07N60S5X
SPI07N60S5XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI07N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014632
SP000680982
SPI07N65C3
SPI07N65C3-ND
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-ND
SPI07N65C3X
SPI07N65C3XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 42A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 42A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI42N03S2L-13
仓库库存编号:
SPI42N03S2L-13-ND
别名:SP000013897
SPI42N03S2L13X
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014631
SPP07N65C3
SPP07N65C3-ND
SPP07N65C3IN
SPP07N65C3IN-ND
SPP07N65C3X
SPP07N65C3XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU07N60S5
仓库库存编号:
SPU07N60S5IN-ND
别名:SPU07N60S5-ND
SPU07N60S5IN
SPU07N60S5X
SPU07N60S5XK
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB07N60S5ATMA1
仓库库存编号:
SPB07N60S5ATMA1CT-ND
别名:SPB07N60S5INCT
SPB07N60S5INCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R385CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R385CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R385CPINCT
IPD60R385CPINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 9A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R399CP
仓库库存编号:
IPD50R399CP-ND
别名:SP000234984
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000264424
SP000681032
SPP07N60CFD
SPP07N60CFD-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 6.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW07N60CFDFKSA1
仓库库存编号:
SPW07N60CFDFKSA1-ND
别名:SP000264430
SPW07N60CFD
SPW07N60CFD-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6
仓库库存编号:
IPD60R380C6INCT-ND
别名:IPD60R380C6INCT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名:SP001100624
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEBTMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380P6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380P6BTMA1CT-ND
别名:IPD60R380P6BTMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP07N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013525
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI08N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014461
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380E6BTMA1-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6ATMA2
仓库库存编号:
IPD60R380E6ATMA2-ND
规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
不适用
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