规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN059-150Y,115
仓库库存编号:
1727-4171-1-ND
别名:1727-4171-1
568-4734-1
568-4734-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J
仓库库存编号:
C3M0065090J-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO268
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tc) 113W(Tc) TO-268
型号:
IXTT02N450HV
仓库库存编号:
IXTT02N450HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
详细描述:表面贴装 N 沟道 220A(Tc) 113W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL220N3LLH7
仓库库存编号:
497-14968-1-ND
别名:497-14968-1
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV
详细描述:通孔 N 沟道 200mA(Tc) 113W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH02N450HV
仓库库存编号:
IXTH02N450HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
不受无铅要求限制
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN102-200Y,115
仓库库存编号:
1727-5227-1-ND
别名:1727-5227-1
568-6544-1
568-6544-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 91A(Tc) 113W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM070NA04LCR RLGTR-ND
别名:TSM070NA04LCR RLGTR
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 91A(Tc) 113W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM070NA04LCR RLGCT-ND
别名:TSM070NA04LCR RLGCT
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 91A(Tc) 113W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM070NA04LCR RLG
仓库库存编号:
TSM070NA04LCR RLGDKR-ND
别名:TSM070NA04LCR RLGDKR
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 113W(Tc) TO-251
型号:
DMJ70H600SH3
仓库库存编号:
DMJ70H600SH3-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 35A(Tc) 113W(Tc) D2PAK-7
型号:
C3M0065090J-TR
仓库库存编号:
C3M0065090J-TR-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF
详细描述:通孔 N 沟道 800V 6.7A(Tc) 113W(Tc) TO-3PF
型号:
FQAF10N80
仓库库存编号:
FQAF10N80-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4500V 200mA(Tc) 113W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA02N450HV
仓库库存编号:
IXTA02N450HV-ND
规格:功率耗散(最大值) 113W(Tc),
无铅
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