规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R2-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5294-1-ND
别名:1727-5294-1
568-6722-1
568-6722-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHB20N50E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N60AE-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHB22N60AE-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG22N60AE-GE3
仓库库存编号:
SIHG22N60AE-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 179W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R5-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-5297-1-ND
别名:1727-5297-1
568-6727-1
568-6727-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHP20N50E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 19A(Tc) 179W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG20N50E-GE3
仓库库存编号:
SIHG20N50E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 850V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP11N80E-GE3
仓库库存编号:
SIHP11N80E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP18N60E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 600V
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 179W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SIHB18N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB18N60E-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 120A(Tc) 179W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB120N08S404ATMA1
仓库库存编号:
IPB120N08S404ATMA1-ND
别名:SP000989094
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 179W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N08S404AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N08S404AKSA1-ND
别名:SP000989096
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 120A(Tc) 179W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
IPI120N08S404AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N08S404AKSA1-ND
别名:SP000989098
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 105A(Tc) 179W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB083N15N5LFATMA1
仓库库存编号:
IPB083N15N5LFATMA1-ND
别名:SP001503862
规格:功率耗散(最大值) 179W(Tc),
无铅
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