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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CN10N G
  仓库库存编号：IPP08CN10NGIN-ND
  别名：IPP08CN10N G-ND
  IPP08CN10NGIN
  IPP08CN10NGX
  IPP08CN10NGXK
  SP000096465
  SP000680844
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CNE8N G
  仓库库存编号：IPP08CNE8N G-ND
  别名：IPP08CNE8NGX
  IPP08CNE8NGXK
  SP000096466
  SP000680846
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N03S2L-05 G
  仓库库存编号：SPB80N03S2L-05 G-ND
  别名：SP000200144
  SPB80N03S2L05GXT
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N03S2L-05
  仓库库存编号：SPI80N03S2L-05-ND
  别名：SP000016266
  SPI80N03S2L05X
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB08CN10N G
  仓库库存编号：IPB08CN10N G-ND
  别名：SP000096448
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB08CNE8N G
  仓库库存编号：IPB08CNE8N G-ND
  别名：SP000096449
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI037N06L3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI037N06L3GHKSA1-ND
  别名：IPI037N06L3 G
  IPI037N06L3 G-ND
  SP000397910
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI08CN10N G
  仓库库存编号：IPI08CN10N G-ND
  别名：SP000208926
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 85V 95A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI08CNE8N G
  仓库库存编号：IPI08CNE8N G-ND
  别名：SP000208927
  SP000680708
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP08CN10L G
  仓库库存编号：IPP08CN10L G-ND
  别名：SP000308791
  SP000680842
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 167W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK7210-55B/C1,118
  仓库库存编号：BUK7210-55B/C1,118-ND
  别名：934062108118
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N06S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N06S403ATMA1TR-ND
  别名：IPB120N06S4-03
  IPB120N06S4-03-ND
  SP000415558
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPI120N06S4-03
  IPI120N06S4-03-ND
  SP000396308
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA1-ND
  别名：IPP120N06S4-03
  IPP120N06S4-03-ND
  SP000396380
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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  无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-7
  
  型号：IPB034N06N3GATMA1
  仓库库存编号：IPB034N06N3GATMA1CT-ND
  别名：IPB034N06N3 GCT
  IPB034N06N3 GCT-ND
  IPB034N06N3G
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB022N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB022N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB022N04L GCT
  IPB022N04L GCT-ND
  IPB022N04LG
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB023N04NGATMA1
  仓库库存编号：IPB023N04NGATMA1CT-ND
  别名：IPB023N04N GCT
  IPB023N04N GCT-ND
  IPB023N04NG
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD035N06L3GATMA1
  仓库库存编号：IPD035N06L3GATMA1CT-ND
  别名：IPD035N06L3 GCT
  IPD035N06L3 GCT-ND
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 120A（Tc） 167W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N06S403AKSA2
  仓库库存编号：IPP120N06S403AKSA2-ND
  别名：SP001028768
  
  规格：功率耗散（最大值） 167W（Tc）,
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