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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 26W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R3K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R3K0CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R3K0CEAUMA1CT
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 26W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-6496-1-ND
别名:1727-6496-1
568-8528-1
568-8528-1-ND
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 26W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R950C6
仓库库存编号:
IPA60R950C6-ND
别名:IPA60R950C6XKSA1
SP000629360
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 26W(Tc) TO-220F-3
型号:
FDPF320N06L
仓库库存编号:
FDPF320N06L-ND
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAW60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAW60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606072
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7XKSA1-ND
别名:SP001606042
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.1A (Tc) 26W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7322ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7322ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7322ADN-T1-GE3CT
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 26W(Tc) DPAK
型号:
NDDL01N60ZT4G
仓库库存编号:
NDDL01N60ZT4G-ND
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 800mA(Ta) 26W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
NDDL01N60Z-1G
仓库库存编号:
NDDL01N60Z-1G-ND
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 24A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 26W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6266E
仓库库存编号:
AON6266E-ND
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA80R900P7XKSA1
仓库库存编号:
IPA80R900P7XKSA1-ND
别名:SP001633482
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R180P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R180P7SXKSA1-ND
别名:SP001606066
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 1.7A(Tc) 26W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R3K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU50R3K0CEAKMA1-ND
别名:SP001396836
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.8A(Tc) 26W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA60R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429478
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 33A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 33A(Tc) 26W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN012-25YLC,115
仓库库存编号:
568-8527-1-ND
别名:568-8527-1
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 14A(Tc) 26W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLIZ24NPBF
仓库库存编号:
IRLIZ24NPBF-ND
别名:*IRLIZ24NPBF
SP001558800
规格:功率耗散(最大值) 26W(Tc),
无铅
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