规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25CT
仓库库存编号:
FQPF9N25CT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 13.6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF19N10
仓库库存编号:
FQPF19N10-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 8.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF9N25CYDTU
仓库库存编号:
FQPF9N25CYDTU-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PLGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PLGBTMA1CT-ND
别名:SPD04P10PL GCT
SPD04P10PL GCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4N80K5
仓库库存编号:
497-14060-1-ND
别名:497-14060-1
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A PWRFLAT 5X6
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4LN80K5
仓库库存编号:
497-17146-1-ND
别名:497-17146-1
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
SPA04N80C3
仓库库存编号:
SPA04N80C3IN-ND
别名:SP000216300
SPA04N80C3IN
SPA04N80C3X
SPA04N80C3XK
SPA04N80C3XKSA1
SPA04N80C3XTIN
SPA04N80C3XTIN-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C466NLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C466NLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C466NLTAGOSCT
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N1R4CP ROGTR-ND
别名:TSM60N1R4CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N1R4CP ROGCT-ND
别名:TSM60N1R4CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM60N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM60N1R4CP ROGDKR-ND
别名:TSM60N1R4CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N1R4CP ROGTR-ND
别名:TSM70N1R4CP ROGTR
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N1R4CP ROGCT-ND
别名:TSM70N1R4CP ROGCT
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
TSM70N1R4CP ROG
仓库库存编号:
TSM70N1R4CP ROGDKR-ND
别名:TSM70N1R4CP ROGDKR
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 51A(Tc) 38W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5C466NLWFTAG
仓库库存编号:
NVTFS5C466NLWFTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5C466NLWFTAGOSCT
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL5N80K5
仓库库存编号:
STL5N80K5-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM60N1R4CH C5G
仓库库存编号:
TSM60N1R4CH C5G-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, SUPER
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 38W(Tc) TO-251(IPAK)
型号:
TSM70N1R4CH C5G
仓库库存编号:
TSM70N1R4CH C5G-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF8T50P
仓库库存编号:
AOTF8T50P-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 60V 39A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FKI06108
仓库库存编号:
FKI06108-ND
别名:FKI06108 DK
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 23A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FKI10300
仓库库存编号:
FKI10300-ND
别名:FKI10300 DK
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF7T60P
仓库库存编号:
AOTF7T60P-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 38W(Tc) DPAK+
型号:
TK20S04K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK20S04K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK20S04K3L(T6L1NQ
TK20S04K3LT6L1NQ
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 38W(Tc) DPAK+
型号:
TK20S06K3L(T6L1,NQ
仓库库存编号:
TK20S06K3L(T6L1NQ-ND
别名:TK20S06K3L(T6L1NQ
TK20S06K3LT6L1NQ
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 1000V 2.8A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 2.8A(Tc) 38W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF3N100
仓库库存编号:
AOTF3N100-ND
规格:功率耗散(最大值) 38W(Tc),
无铅
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