规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(473)
分立半导体产品
(473)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (13)
Microchip Technology (4)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (28)
Infineon Technologies (248)
IXYS Integrated Circuits Division (4)
Nexperia USA Inc. (1)
NXP USA Inc. (5)
Fairchild/ON Semiconductor (132)
ON Semiconductor (5)
Renesas Electronics America (7)
STMicroelectronics (2)
Taiwan Semiconductor Corporation (12)
Texas Instruments (2)
Toshiba Semiconductor and Storage (1)
Vishay Siliconix (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4480DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4480DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4480DY-T1-E3CT
SI4480DYT1E3
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 20-FLFBGA(3.5x4.0)
型号:
FDZ4670S
仓库库存编号:
FDZ4670SCT-ND
别名:FDZ4670SCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4440
仓库库存编号:
785-1033-2-ND
别名:785-1033-2
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5682
仓库库存编号:
FDS5682CT-ND
别名:FDS5682CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS5692Z
仓库库存编号:
FDS5692ZCT-ND
别名:FDS5692ZCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8670
仓库库存编号:
FDS8670CT-ND
别名:FDS8670CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 16A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8874
仓库库存编号:
FDS8874CT-ND
别名:FDS8874CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3670
仓库库存编号:
FDS3670-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3680
仓库库存编号:
FDS3680-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6680S
仓库库存编号:
FDS6680S-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6694
仓库库存编号:
FDS6694-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 18A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7788
仓库库存编号:
FDS7788-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS9412A
仓库库存编号:
FDS9412A-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 14.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS6688AS
仓库库存编号:
FDS6688ASCT-ND
别名:FDS6688ASCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 7.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8435A
仓库库存编号:
NDS8435A-ND
别名:Q4210279C
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN3031LSS-13
仓库库存编号:
DMN3031LSSDICT-ND
别名:DMN3031LSSDICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN3112SSS-13
仓库库存编号:
DMN3112SSSDICT-ND
别名:DMN3112SSSDICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7760A
仓库库存编号:
FDS7760A-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
NDS8410A
仓库库存编号:
NDS8410A-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4420DY
仓库库存编号:
SI4420DYFS-ND
别名:SI4420DYFS
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7.1A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN3052LSS-13
仓库库存编号:
DMN3052LSSDICT-ND
别名:DMN3052LSSDICT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4354DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4354DY-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4354DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4354DY-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-E3-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4880DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4880DY-T1-GE3-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),
无铅
搜索
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号