规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(97)
分立半导体产品
(97)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (41)
Infineon Technologies (9)
Fairchild/ON Semiconductor (47)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 25A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Ta) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD417
仓库库存编号:
785-1106-1-ND
别名:785-1106-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 40V 12A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD413A
仓库库存编号:
785-1218-1-ND
别名:785-1218-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N100TM
仓库库存编号:
FQD2N100TMCT-ND
别名:FQD2N100TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.1A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD3P50TM
仓库库存编号:
FQD3P50TMCT-ND
别名:FQD3P50TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 17A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),46A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD514
仓库库存编号:
785-1357-1-ND
别名:785-1357-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03LSGINCT
BSC050N03LSGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC100N06LS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC100N06LS3GATMA1CT-ND
别名:BSC100N06LS3 GCT
BSC100N06LS3 GCT-ND
BSC100N06LS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD19N10LTM
仓库库存编号:
FQD19N10LTMCT-ND
别名:FQD19N10LTMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC110N06NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC110N06NS3 GCT
BSC110N06NS3 GCT-ND
BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD2N90TM
仓库库存编号:
FQD2N90TMCT-ND
别名:FQD2N90TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) Power56
型号:
FDMS8680
仓库库存编号:
FDMS8680CT-ND
别名:FDMS8680CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TM
仓库库存编号:
FQD4P40TMCT-ND
别名:FQD4P40TM-ND
FQD4P40TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N30TM
仓库库存编号:
FQD7N30TMCT-ND
别名:FQD7N30TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) Power56
型号:
FDMS8025S
仓库库存编号:
FDMS8025SCT-ND
别名:FDMS8025SCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),80A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC050N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC050N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC050N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC050N03MSGINCT
BSC050N03MSGINCT-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 21A PT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 21A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0309AS
仓库库存编号:
FDMS0309ASCT-ND
别名:FDMS0309ASCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD407
仓库库存编号:
785-1102-1-ND
别名:785-1102-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 24A PT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),49A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS0308AS
仓库库存编号:
FDMS0308ASCT-ND
别名:FDMS0308ASCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.4A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
FQD12P10TM_F085
仓库库存编号:
FQD12P10TM_F085CT-ND
别名:FQD12P10TM_F085CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N90TU_WS
仓库库存编号:
FQU2N90TU_WS-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N90TU_AM002
仓库库存编号:
FQU2N90TU_AM002-ND
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Ta) 2.5W(Ta),50W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS86252L
仓库库存编号:
FDMS86252LCT-ND
别名:FDMS86252LCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 400V 2.7A
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD4P40TM_AM002
仓库库存编号:
FQD4P40TM_AM002CT-ND
别名:FQD4P40TM_AM002CT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.6A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) D-Pak
型号:
FQD19N10TM
仓库库存编号:
FQD19N10TMCT-ND
别名:FQD19N10TMCT
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 22A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD508
仓库库存编号:
785-1355-1-ND
别名:785-1355-1
规格:功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号