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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1225AL,115
仓库库存编号:
PH1225AL,115-ND
别名:934064141115
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH1330AL,115
仓库库存编号:
PH1330AL,115-ND
别名:934064142115
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A HEXDIP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 4-HVMDIP
型号:
IRFD9123PBF
仓库库存编号:
IRFD9123PBF-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML
详细描述:通孔 P 沟道 60V 28A(Ta) TO-220ML
型号:
2SJ652-RA11
仓库库存编号:
2SJ652-RA11-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 2A(Ta) TO-3PML
型号:
2SK3747-MG8
仓库库存编号:
2SK3747-MG8-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 16A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 450V 16A TO-220SIS
型号:
TK16A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK16A45D(STA4QM)-ND
别名:TK16A45D(STA4QM)
TK16A45DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 550V 16A(Ta) TO-220SIS
型号:
TK16A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK16A55D(STA4QM)-ND
别名:TK16A55D(STA4QM)
TK16A55DSTA4QM
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Ta) DPAK
型号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)
仓库库存编号:
TK40P03M1(T6RDS-Q)-ND
别名:TK40P03M1T6RDSQ
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Ta) DPAK
型号:
TK45P03M1,RQ(S
仓库库存编号:
TK45P03M1RQ(S-ND
别名:TK45P03M1RQ(S
TK45P03M1RQS
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E06K3A,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E06K3AS1X(S-ND
别名:TK50E06K3AS1X(S
TK50E06K3AS1XS
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
型号:
TK50E06K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E06K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E06K3S1SSQ
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E08K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E08K3S1X(S-ND
别名:TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
型号:
TK50E10K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E10K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E10K3S1SSQ
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A06-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
别名:TPC8A06HTE12LQM
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8009,LQ(O
仓库库存编号:
TPCC8009LQ(O-ND
别名:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 330V TO-220-3
型号:
FDP34N33
仓库库存编号:
FDP34N33-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) SOT-23-3
型号:
NSTR4501NT1G
仓库库存编号:
NSTR4501NT1G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
型号:
NTBV25P06T4G
仓库库存编号:
NTBV25P06T4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
型号:
NTBV30N20T4G
仓库库存编号:
NTBV30N20T4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) D2PAK
型号:
NTBV45N06T4G
仓库库存编号:
NTBV45N06T4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
型号:
NTDV2955-1G
仓库库存编号:
NTDV2955-1G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
型号:
NTDV2955PT4G
仓库库存编号:
NTDV2955PT4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) DPAK
型号:
NTDV5805NT4G
仓库库存编号:
NTDV5805NT4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
型号:
NTDV6414ANT4G
仓库库存编号:
NTDV6414ANT4G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.8A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMS4816NR2G
仓库库存编号:
NVMS4816NR2G-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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