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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9530L
仓库库存编号:
IRF9530L-ND
别名:*IRF9530L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 19A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9540L
仓库库存编号:
IRF9540L-ND
别名:*IRF9540L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9610L
仓库库存编号:
IRF9610L-ND
别名:*IRF9610L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 3.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9620L
仓库库存编号:
IRF9620L-ND
别名:*IRF9620L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 200V 6.5A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9630L
仓库库存编号:
IRF9630L-ND
别名:*IRF9630L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBC40AL
仓库库存编号:
IRFBC40AL-ND
别名:*IRFBC40AL
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
IRFBE20L-ND
别名:*IRFBE20L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
仓库库存编号:
IRFBE20STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.6A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF30L
仓库库存编号:
IRFBF30L-ND
别名:*IRFBF30L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Ta) I2PAK
型号:
IRFBG20L
仓库库存编号:
IRFBG20L-ND
别名:*IRFBG20L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 2.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 200V 2.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI610G
仓库库存编号:
IRFI610G-ND
别名:*IRFI610G
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 1.6A(Ta) TO-220-3
型号:
IRFI710G
仓库库存编号:
IRFI710G-ND
别名:*IRFI710G
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V TO-220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1000V TO-220-3
型号:
IRFIBG20G
仓库库存编号:
IRFIBG20G-ND
别名:*IRFIBG20G
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 31A(Ta) D2PAK
型号:
IRFL31N20D
仓库库存编号:
IRFL31N20D-ND
别名:*IRFL31N20D
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V D-Pak
型号:
IRFR11N25D
仓库库存编号:
IRFR11N25D-ND
别名:*IRFR11N25D
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V D-Pak
型号:
IRFR24N10D
仓库库存编号:
IRFR24N10D-ND
别名:*IRFR24N10D
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 64A(Tc) D2PAK
型号:
IRL3103D1STRR
仓库库存编号:
IRL3103D1STRR-ND
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL510L
仓库库存编号:
IRL510L-ND
别名:*IRL510L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 15A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL530L
仓库库存编号:
IRL530L-ND
别名:*IRL530L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL540L
仓库库存编号:
IRL540L-ND
别名:*IRL540L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 17A(Tc) TO-262-3
型号:
IRL640L
仓库库存编号:
IRL640L-ND
别名:*IRL640L
规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 89A(Ta) D-Pak
型号:
IRLR8103TRL
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规格:功率耗散(最大值) -,
含铅
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