品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(90)
分立半导体产品
(90)
筛选品牌
Infineon Technologies (90)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SC79
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V PG-SC79-2
型号:
BA 892-02V H6127
仓库库存编号:
BA 892-02V H6127CT-ND
别名:BA 892-02V H6127CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SOD-323
详细描述:RF Diode Standard - Single 35V PG-SOD323-2
型号:
BA592E6327HTSA1
仓库库存编号:
BA592E6327HTSA1CT-ND
别名:BA592E6327HTSA1CT
BA592E6327INCT
BA592E6327INCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323
详细描述:RF Diode PIN - Single 50V PG-SOD323-2
型号:
BA595E6327HTSA1
仓库库存编号:
BA595E6327HTSA1CT-ND
别名:BA 595 E6327CT
BA 595 E6327CT-ND
BA595E6327HTSA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道
型号:
BSC882N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC882N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC882N03LSGATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7.6A(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R500CE
仓库库存编号:
IPP50R500CEIN-ND
别名:IPP50R500CEIN
IPP50R500CEXKSA1
SP000939326
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB7430GPBF
仓库库存编号:
IRFB7430GPBF-ND
别名:SP001554620
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23
详细描述:RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOT23-3
型号:
BA885E6327HTSA1
仓库库存编号:
BA885E6327HTSA1TR-ND
别名:BA 885 E6327
BA 885 E6327-ND
BA885E6327BTSA1
BA885E6327XT
SP000010151
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名:SP000454346
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3
详细描述:RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 4V 110mA PG-SOT23-3
型号:
BAT1504RE6152HTSA1
仓库库存编号:
BAT1504RE6152HTSA1-ND
别名:SP000960186
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名:SP000904026
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名:SP000555720
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448976
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名:SP001187424
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名:SP000900304
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名:SP000448980
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
型号:
AUIRLZ44ZL
仓库库存编号:
AUIRLZ44ZL-ND
别名:SP001518950
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名:SP000899314
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
详细描述:MOSFET N-CH 55V 91A IPAK
型号:
AUIRFU1010Z
仓库库存编号:
AUIRFU1010Z-ND
别名:SP001516086
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 195A(Tc) TO-220-3
型号:
IRFB7434GPBF
仓库库存编号:
IRFB7434GPBF-ND
别名:SP001577770
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC171N04NX1SA1
仓库库存编号:
IPC171N04NX1SA1-ND
别名:SP000300150
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N04N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N04N3X1SA1-ND
别名:SP000448986
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC218N06L3X1SA1-ND
别名:SP000476924
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC218N06N3X1SA2
仓库库存编号:
IPC218N06N3X1SA2-ND
别名:SP000544188
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N08N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N08N3X1SA1-ND
别名:SP000476912
品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号