品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta),65A(Tc) 2.5W(Ta),39W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC886N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC886N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC886N03LS GCT
BSC886N03LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),30W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ100N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ100N03LSGINCT
BSZ100N03LSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD075N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD075N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD075N03LGINCT
IPD075N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 56W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD060N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD060N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD060N03LGINCT
IPD060N03LGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03LSGINCT
BSC057N03LSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),18A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0904NSI
仓库库存编号:
BSZ0904NSICT-ND
别名:BSZ0904NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NS
仓库库存编号:
BSC0901NSCT-ND
别名:BSC0901NSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB042N03L G
仓库库存编号:
IPB042N03LGINCT-ND
别名:IPB042N03LGINCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0901NSI
仓库库存编号:
BSZ0901NSICT-ND
别名:BSZ0901NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 28A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),69W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0901NSI
仓库库存编号:
BSC0901NSICT-ND
别名:BSC0901NSICT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC016N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC016N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSC016N03LS GCT
BSC016N03LS GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),139W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC014N03LS G
仓库库存编号:
BSC014N03LS GCT-ND
别名:BSC014N03LS GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),106A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) MG-WDSON-2,CanPAK M?
型号:
BSF024N03LT3GXUMA1
仓库库存编号:
BSF024N03LT3GXUMA1CT-ND
别名:BSF024N03LT3 GCT
BSF024N03LT3 GCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 41A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 41A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),96W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC009NE2LS
仓库库存编号:
BSC009NE2LSCT-ND
别名:BSC009NE2LSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),55A(Tc) 1.4W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? ST
型号:
IRF6623TRPBF
仓库库存编号:
IRF6623TRPBFCT-ND
别名:IRF6623TRPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
详细描述:表面贴装 N 沟道 300A(Tc) 3.8W(Ta),300W(Tc) PG-HSOF-8-1
型号:
IPT004N03LATMA1
仓库库存编号:
IPT004N03LATMA1CT-ND
别名:IPT004N03LATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 68W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP055N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP055N03LGXKSA1-ND
别名:IPP055N03L G
IPP055N03LGIN
IPP055N03LGIN-ND
IPP055N03LGXK
SP000680806
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Tc) 79W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名:IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGXKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGXKSA1-ND
别名:IPP034N03L G
IPP034N03LGIN
IPP034N03LGIN-ND
IPP034N03LGXK
SP000680772
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 31W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD135N03L G
仓库库存编号:
IPD135N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD135N03L GCT
IPD135N03L GCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),35W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ088N03LSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ088N03LSGATMA1CT-ND
别名:BSZ088N03LSGINCT
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品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 47W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB080N03L G
仓库库存编号:
IPB080N03L GCT-ND
别名:IPB080N03L GCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC0902NS
仓库库存编号:
BSC0902NSCT-ND
别名:BSC0902NSCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD031N03LGATMA1
仓库库存编号:
IPD031N03LGATMA1CT-ND
别名:IPD021N03LGINCT
IPD021N03LGINCT-ND
IPD031N03LGINCT
IPD031N03LGINCT-ND
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU039N03LGXK
仓库库存编号:
IPU039N03LGXK-ND
别名:IPU039N03L G
IPU039N03LGIN
IPU039N03LGIN-ND
SP000256162
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA,
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